彦根藩の当主である井伊直孝公をお寺の門前で手招き雷雨から救ったと
伝えられる招き猫と井伊軍団のシンボルとも言える赤備え（戦国時代の
井伊軍団編成の一種、あらゆる武具を朱りにした部隊編成のこと兜（か
ぶと）を合体させて生まれたキャラクタ－
【季語と短歌：５月５日】
夏に入るポッド六割新芽かな 
高山 宇（青鬼）
🪄目覚め朝礼祈念後、珈琲立て電視台と電子情報端末器の電源を入る。
暫くし、向日葵の発芽確認していると玄関に御向えの奥様が粗供養を
届けに来れられ供養労いのお礼えを交わし、所用で買い物に出かけて
いた妻に返礼督促を伝え、私用の情報端末器の作業を再開。（忙）
🌈 歌集『淡海の湖辺⓶』
朝早く翔平ファンの家内いう陽翔鮮烈初登板だと
血が騒ぐ陽翔翔平女性ファン粗供養ゴジバ・クッキー頂きぬ
甲子園歴代五位の十一勝近江や淡海鮎が跳ねてる
入れ食いの小鮎ざくざく今むかしスマホで釣果バズってみよう
✳️「何かが間違っている」世界的な投資家がリベラルを批判
トランプ2.0以後の世界を読み解く必読書
大統領に再選したドナルド・トランプ大統領、影響力が増すイーロン・
マスク、
ゼレンスキー会談で注目を集めた副大統領のJ.D.ヴァンス…
彼らに共通するのは、既存の「リベラルな秩序」に挑戦するカウンター
エリートという潮流だった。
彼らは単なる「反エリート」ではなく、自らの「何かが間違っている」
という主張を掲げ、
支持を広げている。背景にあるのは、世界的投資家ピーター・ティール
や暗黒啓蒙の思想家カーティス・ヤーヴィンらが支持する「奇妙な右翼
サブカルチャー」だ――。
なぜリベラルなシリコンバレーは、保守派に転向しつつあるのか？
なぜ世界で同時多発的に、新たな政治家が台頭し、既存秩序を揺るがし
ているのか？石丸現象や兵庫県知事選、韓国の戒厳令などに共通する背
景とは？
リバタリアンからポッドキャストに台頭するマノスフィア文化、反Woke
まで広範な思想を読み解く。
目次
第１章 選挙イヤーに誕生したカウンターエリート
第２章 ピーター・ティールの思想
第３章 シリコンバレーの欺瞞
第４章 カウンターエリートの導師
第５章 利己的なリバタリアンか、反Ｗｏｋｅの差別主義者か
第６章 そして世界に広がった
第７章 カウンターエリートが台頭する三つの理由
第８章 カウンターエリートがもたらすもの
石田健［イシダケン］：ニュース解説メディアＴｈｅ ＨＥＡＤＬＩＮＥ
編集長。１９８９年、東京都生まれ。日テレ系『ＤａｙＤａｙ．』はじめ
ＴＶやラジオなど多数の番組でコメンテーターを務める他、Ｊ‐ＷＡＶＥ『
ＪＡＭ ＴＨＥ ＰＬＡＮＥＴ』パーソナリティも担当。早稲田大学大
学院政治学研究科修士課程（政治学）修了後、創業した企業を東証プラ
イム上場企業に売却して現職。テクノロジーや人権イシュー、政治思想、
東アジアの近現代史などに関心
✳️最新特許情報熱電変換モジュール
1️⃣特開2025-65567 熱電変換モジュール 古河電気工業株式会社（審査前）
【要約】下図1のごとく本発明の熱電変換モジュール１は、第１電気絶縁
性基板２と第２電気絶縁性基板３と複数の熱電変換素子４ａ、４ｂと接
続配線５、６とを有し、少なくとも１枚の第１輻射熱反射板７で構成さ
れた輻射熱反射部材を有し、第１輻射熱反射板７は、第１電気絶縁板１１
と、前記第１電気絶縁板１１の少なくとも片面に形成され、熱電変換素
子４ａ、４ｂに接触するように配設される第１反射層１２と、複数の熱
電変換素子４ａ、４ｂが通過可能なサイズの複数の独立孔１０とを有し、
第１反射層１２は、複数の熱電変換素子４ａ、４ｂ同士を互いに電気的
に絶縁する電気絶縁部１３を有する。複数の熱電変換素子の間に存在す
る空間にて、高温側から低温側に伝達される熱（より厳密には輻射熱）
をより効率的に抑制できる熱電変換モジュールを提供する。
図１ 本発明に従う第１の実施形態の熱電変換モジュールの斜視
図２ 図１に示す熱電変換モジュールのＩ－Ｉ線上の断面図
図３ 図１に示す熱電変換モジュールから第１電気絶縁性基板と第１輻
射熱反射板を取り外した状態で示す斜視図
図４ 第１反射層の一例を示す平面図
図５ 第１反射層の別の一例を示す平面図
図６（a）透光性の第１電気絶縁性板が、両面に電気絶縁部
を異なる配設形状
図７ 第２の実施形態の熱電変換モジュールの断面図
図８ 第３の実施形態の熱電変換モジュールの断面図
。
図９ 第４の実施形態の熱電変換モジュールの断面図
【符号の説明】【００６２】
１ 熱電変換モジュール ２ 第１電気絶縁性基板 ３ 第２電気絶縁性基板
４ 熱電変換素子 ４ａ ｐ型熱電変換素子 ４ｂ ｎ型熱電変換素子
５ 第１接続配線 ６ 第２接続配線 ７ 第１輻射熱反射板 ８ 第１電極
９ 第２電極 １０ 独立孔 １１ 第１電気絶縁板 １２ 第１反射層 １３
電気絶縁部 １５ 第２反射層 １９ 第２輻射熱反射板 ２０ 第２電気
絶縁板 ２５ 側面輻射熱反射板 ２６ 第３電気絶縁板 ２７ 第３反射層
【発明の効果】
本発明の目的は、複数の熱電変換素子の間に存在する空間にて、高温側
から低温側に伝達される熱（より厳密には輻射熱）をより効率的に抑制
できる熱電変換モジュールを提供することにある。
【特許請求の範囲】
【請求項１】 温度差のある使用環境下にて、
高温側に配設される第１電気絶縁性基板と、
前記第１電気絶縁性基板に対して間隔をおいて略平行にかつ低温側に配
設される第２電気絶縁性基板と、 前記第１および第２電気絶縁性基板の
間に挟持された複数の熱電変換素子と、
前記第１電気絶縁性基板と前記複数の熱電変換素子との間、および、前
記第２電気絶縁性基板と前記複数の熱電変換素子との間に配設され、前記
複数の熱電変換素子を接続する接続配線とを有する熱電変換モジュール
において、
前記第１および第２電気絶縁性基板の間で、前記第１および第２電気絶
縁性基板に対して略平行に配設された少なくとも１枚の第１輻射熱反射
板で構成された輻射熱反射部材を有し、
前記第１輻射熱反射板は、第１電気絶縁板と、前記第１電気絶縁板の少
なくとも片面に形成され、前記熱電変換素子に接触するように配設され
る、輻射熱を反射する第１反射層と、前記複数の熱電変換素子が通過可
能なサイズの複数の独立孔と、を有し、
前記第１反射層は、前記複数の熱電変換素子同士を互いに電気的に絶縁
する電気絶縁部を有することを特徴とする熱電変換モジュール。
【請求項２】 前記第１輻射熱反射板は、
前記第１電気絶縁板の両面に、それぞれ 前記第１反射層と、
前記熱電変換素子に接触しないように配設される、輻射熱を反射する第
２反射層と、を有する、請求項１に記載の熱電変換モジュール。
【請求項３】 前記輻射熱反射部材は、 第２電気絶縁板と、
前記第２電気絶縁板の片面のみまたは両面に形成され、前記熱電変換素
子に接触しないように配設される、輻射熱を反射する第２反射層と、
を有する少なくとも１枚の第２輻射熱反射板をさらに備える、請求項１
または２に記載の熱電変換モジュール。
【請求項４】 前記第１電気絶縁板および第２電気絶縁板の外形面積は、
いずれも前記第１電気絶縁性基板および前記第２電気絶縁性基板のいず
れの外形面積と同じかまたは大きい、請求項３に記載の熱電変換モジュール。
【請求項５】 前記第１電気絶縁板および第２電気絶縁板の熱伝導率は、
いずれも前記熱電変換素子の熱伝導率より小さい、請求項３または４に
記載の熱電変換モジュール。
【請求項６】 前記第１反射層および第２反射層は、いずれも乾式めっき
または湿式めっきにより形成される、請求項２から５までのいずれか１項
に記載の熱電変換モジュール。
【請求項７】 前記輻射熱反射部材と前記第２電気絶縁性基板の周りを実
質的に包囲するように配設される側面輻射熱反射板をさらに有する、請
求項１から６までのいずれか１項に記載の熱電変換モジュール。
【請求項８】 前記側面輻射熱反射板は、 第３電気絶縁板と、前記第３
電気絶縁板の一方の表面に形成され、輻射熱を反射する第３反射層とを有し、
前記第３電気絶縁板の他方の表面が、前記輻射熱反射部材の側面と前記
第２電気絶縁性基板の側面に対向するように配設される、請求項７に記
載の熱電変換モジュール。
【請求項９】 前記第３電気絶縁板の熱伝導率は、前記熱電変換素子の熱
伝導率より小さい、請求項８に記載の熱電変換モジュール。
2️⃣特開2024-174473 半導体論理回路及び半導体集積回路 国立大学法
人大阪大学（審査前）
【要約】下図５のＭｕｌｔｉ－Ｓｔａｃｋｅｄ ＮＡＮＤゲート（ＭＳ－
ＮＡＮＤ）は、Ｍａｉｎ－ＮＡＮＤ１０と、スタック構造を有する１段
目のＮＡＮＤ１１，１２と、を備える。Ｍａｉｎ－ＮＡＮＤ１０は、Ｍ
ＯＳトランジスタ１～４を接続して２つの入力Ａ、Ｂと１つの出力Ｙを
備え、かつ、両側に電源を接続するための電源端１０１及びグラウンド
端１０２を備える。ＮＡＮＤ１１、１２は、Ｍａｉｎ－ＮＡＮD１０と
同一構成を有し、出力Ｙに対応する接続端１１１，１２１を介してＭａｉｎ
－ＮＡＮＤ１０の１出力Ｙを流れる（流入、流出する）電流を制御する
ものであり、Ｍａｉｎ－ＮＡＮＤの電源端１０１及びグラウンド端１０２
のそれぞれに接続端１１１、１２１が接続される。
図１ NANDゲートを説明する図で、（A）は２入力１出力端のNANDゲ
ートの回路図、（B）はその真理値表
【発明の効果】 本発明によれば、論理回路と同一の回路をスタック構
造として適用することで論理回路の出力端を流れる電流を抑制して極低
電圧動作性能を向上させる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】複数のMOSトランジスタを接続して複数入力１出力端を備
えた回路を構成し、かつ前記回路に電源供給のための電源端とグラウン
ド端とを備えた論理回路と、前記論理回路と同一構成を有し、前記論理
回路の前記１出力端を流れる電流を制御する１段目の第１、第２の制御
回路とを備え、前記１段目の第１の制御回路は、前記１出力端に対応す
る接続端が前記論理回路の前記電源端に接続され、前記１段目の第２の
制御回路は、前記１出力端に対応する接続端が前記論理回路の前記グラ
ウンド端に接続された半導体論理回路。
【請求項２】前記論理回路と同一構成を有し、前記１段目の第１の制御
回路の接続端を流れる電流を制御する２段目の第１、第２の制御回路、
及び前記１段目の第２の制御回路の接続端を流れる電流を制御する２段
目の第３、第４の制御回路を備え、
前記２段目の第１の制御回路は、接続端が前記１段目の第１の制御回路
の電源端に接続され、
前記２段目の第２の制御回路は、接続端が前記１段目の第１の制御回路
のグラウンド端に接続され、
前記２段目の第３の制御回路は、接続端が前記１段目の第２の制御回路
の電源端に接続され、
前記２段目の第４の制御回路は、接続端が前記１段目の第２の制御回路
のグラウンド端に接続された請求項１に記載の半導体論理回路。
【請求項３】前記回路は、前記電源端側に複数のMOSトランジスタを有
する第１回路と、前記グラウンド端側に複数のMOSトランジスタを有す
る第２回路とを備え、
前記１段目の第１の制御回路のうち前記第１回路に対応する回路の複数
のMOSトランジスタは、ソースドレインのチャネル幅が、前記論理回路
の前記第１回路の複数のMOSトランジスタのソースドレインのチャネル
幅に比して１倍を超える寸法を有し、
前記１段目の第２の制御回路のうち前記第２回路に対応する回路の複数
のMOSトランジスタは、ソースドレインのチャネル幅が、前記論理回路
の前記第２回路の複数のMOSトランジスタのソースドレインのチャネル
幅に比して１倍を超える寸法を有する請求項１に記載の半導体論理回路。
【請求項４】前記回路は、前記電源端側に複数のMOSトランジスタを有
する第１回路と、前記グラウンド端側に複数のMOSトランジスタを有す
る第２回路とを備え、 前記１段目の第１の制御回路のうち前記第１回路
に対応する回路の複数のMOSトランジスタは、ソースドレインのチャネ
ル幅が、前記論理回路の前記第１回路の複数のMOSトランジスタのソー
スドレインのチャネル幅に比して１倍を超える寸法を有し、 前記１段目
の第２の制御回路のうち前記第２回路に対応する回路の複数のMOSトラ
ンジスタは、ソースドレインのチャネル幅が、前記論理回路の前記第２
回路の複数のMOSトランジスタのソースドレインのチャネル幅に比して
１倍を超える寸法を有し、前記２段目の第１の制御回路のうち前記第１
回路に対応する回路の複数のMOSトランジスタは、ソースドレインのチ
ャネル幅が、前記１段目の第１の制御回路の前記第１回路に対応する回
路の複数のMOSトランジスタのソースドレインのチャネル幅に比して１
倍を超える寸法を有し、前記２段目の第２の制御回路のうち前記第２回
路に対応する回路の複数のMOSトランジスタは、ソースドレインのチャ
ネル幅が、前記１段目の第２の制御回路の前記第２回路に対応する回路
の複数のMOSトランジスタのソースドレインのチャネル幅に比して１倍
を超える寸法を有し、前記２段目の第３の制御回路のうち前記第１回路
に対応する回路の複数のMOSトランジスタは、ソースドレインのチャネ
ル幅が、前記１段目の第２の制御回路の前記第１回路に対応する回路の
複数のMOSトランジスタのソースドレインのチャネル幅に比して１倍
を超える寸法を有し、前記２段目の第４の制御回路のうち前記第２回路
に対応する回路の複数のMOSトランジスタは、ソースドレインのチャネ
ル幅が、前記１段目の第２の制御回路の前記第２回路に対応する回路の
複数のMOSトランジスタのソースドレインのチャネル幅に比して１倍を
超える寸法を有する請求項２に記載の半導体論理回路。
【請求項５】前記論理回路は、NAND回路である請求項１に記載の半導
体論理回路。
【請求項６】前記論理回路は、NOR回路である請求項１に記載の半導体
論理回路。
【請求項７】前記論理回路の前記１出力端に接続された入力端を有する
インバータを備え、 前記インバータは、前記論理回路及び前記１段目の
制御回路を構成する各MOSトランジスタの基板電位に出力をフィードバ
ックする出力端を有する請求項１に記載の半導体論理回路。
【請求項８】前記論理回路の前記１出力端に接続された入力端を有する
インバータを備え、前記インバータは、前記論理回路、前記１段目の制
御回路及び前記２段目の制御回路を構成する各MOSトランジスタの基板
電位に出力をフィードバックする出力端を有する請求項２に記載の半導
体論理回路。
【請求項９】請求項１～８のいずれかに記載の半導体論理回路が集積さ
れた半導体集積回路。
図１９ 従来のBBIを説明する図で、（A）はインバータINVの回路図を示
し、（B）はBBIの回路図を示し、（C）は（B）をシンボル表記した図
【発明の効果】
本発明によれば、論理回路と同一の回路をスタック構造として適用する
ことで論理回路の出力端を流れる電流を抑制して極低電圧動作性能を向
上させる。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】【０００２】
近年、例えば医療分野において脈拍や心電図、血中酸素飽和度などを測
定するセンサを搭載したウェアラブルデバイスが開発されている。デバイ
ス用の電源としては、エネルギーハーベスティングが注目されている。エ
ネルギーハーベスティングでは、充電や交換が不要な熱や光、電磁波など
の物理エネルギーの利用が候補とされる一方、特にウェアラブルデバイス
の電源として人体と大気との温度差を利用して発電を行う熱電変換素子が
環境電源として有力視されている。しかしながら、熱電変換素子が人体と
外気の温度差から出力し得る電圧は100mVを下回るような極低電圧であ
ることから、熱電変換素子の出力電圧を電源にしてMOSトランジスタ回
路を動作させる場合、MOSトランジスタ回路を弱反転領域で、すなわち
ナノアンペアオーダーのサブスレッショルド電流で動作させなければな
らない。このように、MOSトランジスタを流れる電流が小さい場合、通
常のMOSトランジスタでは出力が安定せず、正常に動作しない虞がある。
そのため、今日、極低電圧でMOSトランジスタの安定動作を可能にする
アーキテクチャの開発が進められている。【０００３】
これまで、MOSトランジスタを利用したインバータについては極低電圧
下での動作技術が提案されている。非特許文献１～３には、インバータ
（INV）を改良して電圧35～50mVで動作可能にし、リング発振回路に適
用した成果などが掲載されている。【０００４】
非特許文献１は、INVの出力電圧の劣化の要因となるMOSトランジスタの
リーク電流を低減させるStacked Inverter（SI）に関する。図１８は、S
Iを説明する図で、（A）はINVの回路図を示し、（B）はSIの回路図を示し、
（C）は（B）をシンボル表記した図である。INVは、入力Xを反転して出
力Yを得る公知の回路で、互いのゲートG及びドレインDが接続されたPM
OSトランジスタとNMOSトランジスタそれぞれのソースSに電源Vddとグ
ラウンドVssとが接続された構造を有する。SIは、図１８（B）に示すよ
うに、メインINVのPMOS、NMOSトランジスタそれぞれのソースSに、
メインINVと同一構成のINVの出力端が接続される構成を有し、出力Yに
合わせてメインINVのオフとなる側のトランジスタのドレインソース間電
圧を低下させるようにすることでリーク電流を減少させて出力電圧の劣化
を抑制している。【０００５】
非特許文献２は、基板バイアス効果を利用してしきい値電圧VTHN，VTHP
を制御し、出力を改善するBody-bias Inverter（BBI）に関する。図１９
は、BBIを説明する図で、（A）はインバータINVの回路図を示し、（B）は
BBIの回路図を示し、（C）は（B）をシンボル表記した図である。BBIは、
図１９（B）に示すように、フィードフォワードインバータ(FF-INV)と、
後段のフィードバックインバータ(FB-INV)の２つのインバータから構成
されており、FF-INVの出力をFB-INVによって反転し、ラインLfbを経て
FF-INVの基板電位にフィードバックさせる構成を採っている。BBIは、か
かる基板バイアス効果を利用してFB-INVを構成するNMOSトランジスタ
及びPMOSトランジスタのしきい値電圧VTHN，VTHPを制御し、オン電
流を増大させて電圧劣化を抑制している。【０００６】
非特許文献３は、Stacked Inverter（SI）とBody-bias Inverter（BBI）
とを組み合わせたStacked Body-bias Inverter(SBBI)に関する。図２０
は、SBBIを説明する図で、（A）はインバータINVの回路図を示し、（B）
はSBBIの回路図を示し、（C）は（B）をシンボル表記した図である。BBI
及びSIに用いられる、出力の劣化抑制技術は競合しないため、INVに対し
て同時に適用することが可能である。SBBIは、図２０（B）に示すように、
SIと後段のFB-INVの２つのインバータから構成されている。BBIと同様に、
SIの出力をFB-INVによって反転し、SIの基板電位にフィードバックする
構成を採っている。この構成により、しきい値電圧を制御し、SIの出力
をより改善している。さらに、FB-INVにもSIを適用することで、フィー
ドバックされる信号も改善され、結果として出力をさらに改善すること
ができる。
【非特許文献１】
S. Bose and M. L. Johnston, “A Stacked-Inverter Ring Oscillator
for 50 mV Fully-Integrated Cold-Start of Energy Harvesters,”
IEEE ISCAS, 2018, pp. 1-5.
【非特許文献２】R. Matsuzuka et al., “A 42-mV startup ring oscillator
using gain-enhanced self-bias inverters for extremely low voltage energy harvesting,” Jpn. J. Appl. Phys. 59, SGGL01, 2020.
【非特許文献３】M. Nishi et al., “A 35-mV supply ring oscillator
consisting of stacked body bias Inverters for extremely low-voltage LSIs,” IEICE Electron. Express, vol. 18, issue 6, 20210065, 2021.
ー 中略 ー
【００５４】II.試験結果
図１６は、MS-NANDゲートについての試験結果の一部である出力Yの特
性図で、横軸の入力Bの電圧に対する縦軸の出力Yの電圧を示している。
図１６（A）は、比較例であって、波形（１）はNANDの出力Yの電圧変
化を示し、波形（２）はBB-NANDの出力Yの電圧変化を示している。
【００５５】 図１６（B）は、比較例のNANDと実施例であるMS-NAN
Dとの各出力Yの電圧変化を示している。波形（１）は比較例であるNA
NDの出力Yの電圧変化、波形（２）は１段スタック構造のS-NANDの出
力Yの電圧変化、波形（３）は２段スタック構造の２S-NANDの出力Yの
電圧変化、波形（４）は３段スタック構造の３S-NANDの出力Yの電圧変
化を示している。【００５６】
図１６（C）は、比較例のNAND，BB-NANDと実施例であるMSBB-N
ANDとの各出力Yの電圧変化を示している。【００５７】
図１７は、NAND及びNORの全ての試験結果のデータをまとめた一覧
図表である。図１７において、各項目は、先頭のLogic Gates側から順
に、論理回路の種類、具体的な論理回路、スタックの段数、論理回路に
含まれるMOSトランジスタの個数、入力A側を変化させた場合の各NAN
Dゲートの出力Yの最大電圧、入力B側を変化させた場合の各NANDゲー
トの出力Yの最大電圧、入力A側を変化させた場合の各NORゲートの出力
Yの最大電圧、及び入力B側を変化させた場合の各NORゲートの出力Yの
最大電圧を示している。【００５８】
III.考察
実施例に係るNAND側、NOR側のいずれも、スタックの段数を増やす
ほど、出力Yが“１”になる入力条件のときの電圧振幅が、通常のNAND,
NOR、またBB-NAND,BB-NORに比べて改善していることが分かった。
例えば、NAND側の入力Bの振幅を変化させたシミュレーションでは、
通常のNANDでは32.4mVであるのに比して、1S-NANDでは38.2mVと
なり、18％改善した。また、このとき、BB-NANDでは37.1ｍVであるか
ら、1S-NANDの方がBB-NANDより、一層改善したことが分かった。さ
らに、MS-NANDは、スタックの段数が増すほど、出力Yの振幅が増大し、
最大の3S-NANDでは44.3mVとなり、37％改善した。このような傾向は、
入力Aの振幅を変化させたシミュレーションでも同様の結果に表れている
ことが認められた。【００５９】
また、NOR側の入力Bの振幅を変化させたシミュレーションでは、通常
のNORでは33.0mVであるのに比して、1S-NORでは38.6mVとなり、17
％改善した。また、このとき、BB-NORでは37.4ｍVであるから、1S-N
ORの方がBB-NORより一層改善したと認められた。さらに、MS-NORは
スタックの段数が増すほど、出力Yの振幅が増大し、最大の3S-NORでは
44.8mVとなり、36％改善した。このような傾向は、入力Aの振幅を変化
さたシミュレーションでも同様に表れていることが認められた。
【００６０】
次いで、MSBB-NANDについて、入力Bの振幅を変化させたシミュレー
ションでは、通常のBB-NANDでは37.1mVであるのに比して、1SBB-NAND
では42.1mVとなり、13％改善した。また、MSBB-NANDは、スタック
の段数が増すほど、出力Yの振幅が増大し、最大の3SBB-NANDでは47.0ｍV
となり、通常のNANDより45％改善し、また通常のBB-NANDより27％
改善した。このような傾向は、入力Aの振幅を変化させたシミュレーショ
ンでも同様に表れていることが認められた。【００６１】
また、出力Yが“０”になるときの電圧レベルも、図１６（B），（C）から
分かるように、MS-NAND,MSBB-NANDでは、通常のNAND,BB-NAND
より低く、かつスタック段数が増えるほど、さらに低くなっており、
“０”出力がより安定することが認められた。【００６２】
最後に、MSBB-NORについて、入力Bの振幅を変化させたシミュレーシ
ョンでは、通常のBB-NAORでは37.4mVであるのに比して、1SBB-NAND
では42.3mVとなり、13％改善した。また、MSBB-NORは、スタックの
段数が増すほど、出力Yの振幅が増大し、最大の3SBB-NORでは47.2ｍV
となり、通常のNORより43％改善し、また通常のBB-NANDより26％改
善した。このような傾向は、入力Aの振幅を変化させたシミュレーショ
でも同様に表れていることが認められた。【００６３】
本実施形態では、ウェアラブルデバイスに適用する論理回路で説明した
が、その他、産業用の各種のIoTデバイスに組み込まれる半導体論理回路
にも適用可能である。また、本実施形態では、電源側及びグラウンド側
の双方にスタック構造、ボディバイアス技術を適用したが、電源側の一
方に適用する態様であってもよい。
3️⃣特開2020-57676 熱電変換材料、熱電変換材料の焼結方法および熱
電変換材料の製造方法 国立大学法人大阪大
【要約】下図７のごとく、本発明の熱電変換材料は、充填元素としてＩｎ
およびＹｂを含み、スクッテルダイト構造をなす複数の結晶粒を有する
主相と、隣接する結晶粒の間の粒界と、を有する焼結体からなる。本発
明の熱電変換材料における主相は、相対的に結晶粒径の大きい粗大組織
領域と、相対的に結晶粒径の小さい微細組織領域と、が混在している。
図７ 本実施例に係る熱電変換材料のＴＥＭ（透過型電子顕微鏡：
Transmission Electron Microscope）による観察像を示し、（ａ）はＩｎ
＝０（ｘ＝０）であって焼結時の第二圧力が１００ＭＰａの材料の像、
（ｂ）はＩｎ＝０であって焼結時の第二圧力が１５０ＭＰａの材料の像、
（ｃ）はＩｎ＝０．１（ｘ＝０．１）であって焼結時の第二圧力が１００
ＭＰａの材料の像、（ｄ）はＩｎ＝０．１であって焼結時の第二圧力が
１５０ＭＰａの材料の像
【発明の効果】
本発明の熱電変換材料によれば、結晶粒径の大きい粗大組織領域と結晶
粒径の小さい微細組織領域とが混在している。粗大組織領域は結晶粒界
が少ないので、熱電変換材料の電気伝導率が高くなる。また、微細組織
領域は結晶粒界が多く存在することにより熱伝導率が低くなる。これに
より、本発明に係る熱電変換材料は、高い無次元性能指数ＺＴが得られ、
具体的には６７３Ｋにおける無次元性能指数ＺＴが１．０を超える。
【特許請求の範囲】
【請求項１】 ＩｎおよびＹｂを含み、スクッテルダイト構造をなす複数
の結晶粒を有する主相と、隣接する前記結晶粒の間の粒界と、を有する
焼結体からなり、
前記主相は、相対的に結晶粒径の大きい粗大組織領域と、相対的に結晶
粒径の小さい微細組織領域と、が混在している、ことを特徴とするスク
ッテルダイト系熱電変換材料。
【請求項２】 前記微細組織領域における前記結晶粒は、前記粗大組織領
域における前記結晶粒の、円相当径において、４０～８０％の平均粒径
を有する、請求項１に記載のスクッテルダイト系熱電変換材料。
【請求項３】前記微細組織領域および前記粗大組織領域において、
ＹｂおよびＯを周囲より多く含む析出物が複数の前記結晶粒の少なくと
も一部の粒内に析出している、請求項１または請求項２に記載のスクッ
テルダイト系熱電変換材料。
【請求項４】 前記微細組織領域において、 粒径の小さい前記結晶粒の
粒界にＹｂ酸化物が析出している、請求項１～請求項３のいずれか一項
に記載のスクッテルダイト系熱電変換材料。
【請求項５】 前記粗大組織領域において、 前記結晶粒の粒界の一部に、
ＩｎおよびＹｂが偏析している、請求項１～請求項３のいずれか一項に
記載のスクッテルダイト系熱電変換材料。
【請求項６】 下記の式（１）で表される組成（原子比）を有する、
請求項１～請求項５のいずれか一項に記載のスクッテルダイト系熱電変
換材料。
ＩｎｘＹｂｙＣｏ４Ｓｂ１２＋ｚ 式（１）
０＜ｘ≦０．３， ０＜ｙ≦０．３， －０．５≦ｚ≦＋０．５
【請求項７】スクッテルダイト相およびスクッテルダイト相に対する異
相を含む焼結用原料を焼結するスクッテルダイト系熱電変換材料の焼結
方法であって、前記焼結用原料を第一温度で保持する第一保持工程と、
前記第一温度より高い第二温度まで昇温するとともに前記第二温度で所
定時間だけ保持する第二保持工程と、を備え、
前記第一保持工程と前記第二保持工程を通じて圧力が加えられ、
前記第一保持工程において、前記異相を低減させ、
前記第二保持工程において、緻密化を図る、
ことを特徴とするスクッテルダイト系熱電変換材料の焼結方法。
【請求項８】前記第一保持工程において、第一圧力を加えながら、前記
第一温度で所定時間だけ保持し、前記第二保持工程において、前記第一
圧力よりも大きい第二圧力を加えながら、前記第二温度で所定時間だけ
保持する、請求項７に記載のスクッテルダイト系熱電変換材料の焼結方法。
【請求項９】 前記第一温度が３００～７００℃であり、
前記第二温度が４５０～８６０℃である、請求項７または請求項８に記
載のスクッテルダイト系熱電変換材料の焼結方法。
【請求項１０】 前記第一圧力が１０～１００ＭＰａであり、前記第二圧
力が２５～２５０ＭＰａである、請求項８に記載のスクッテルダイト系
熱電変換材料の焼結方法。
【請求項１１】 出発原料を秤量する工程と、前記出発原料を溶解、及び、
凝固する工程と、請求項７から請求項１０までのいずれか一項に記載の
焼結方法と、を含むスクッテルダイト系熱電変換材料の製造方法。
● 今日の言葉：
春が来ても、鳥たちは姿を消し鳴き声も聞こえない。
春だというのに自然は沈黙している。
レイチェル・カーソン 『沈黙の春』
