彦根藩の当主である井伊直孝公をお寺の門前で手招き雷雨から救ったと
伝えられる招き猫と井伊軍団のシンボルとも言える赤備え（戦国時代の
井伊軍団編成の一種、あらゆる武具を朱りにした部隊編成のこと兜（か
ぶと）を合体させて生まれたキャラクタ－
【季語と短歌：５月1０日】
蝶渡る檸檬柚子の新樹かな 
高山 宇（百鬼）
🪄いやいや、 ”難波江の芦のかりねのひとよゆゑみをつくしてや恋ひわ
たるべき“とシュウルに蝶が応ゆではありませんかと。
✳️
1️⃣特開2024-134991 基板洗浄方法および基板洗浄装置 ウシオ電機株
式会社
【要約】下図１のごとく基板洗浄方法は、基板を準備する準備工程と、
基板を洗浄する洗浄工程と、洗浄工程において洗浄された後の基板を乾
燥する乾燥工程と、を含む。洗浄工程は、基板の表面に紫外線（ＶＵＶ
光）を照射する第１の洗浄工程と、紫外線を照射した後の基板の表面に
超純水を散布する第２の洗浄工程と、を含む。
図１ 本実施形態における基板洗浄方法の一例
【符号の説明】 １００…基板洗浄装置、１１０…紫外線照射部、１１１
…ＶＵＶ光源、１１２…ガス供給部、１１３…排気口、１２０…超純水散
布部、１２１…超純水生成器、１２２…スプレーヘッド、１３０…基板乾
燥部、１３１…大気圧プラズマ発生器、１４０…改質部、１５０…搬送機構
【図２】本実施形態における基板洗浄装置の一例である。
【図３】紫外線照射部の構成例である。
【図４】スプレーヘッドの構成例である。
【図５】従来の基板洗浄方法の一例である。
【図６】従来の基板洗浄装置の一例である。
【発明の効果】 本発明では、有機溶剤を使用することなく高い洗浄力に
より基板表面を洗浄することができる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を洗浄する基板洗浄方法であって、
前記基板を準備する準備工程と、
前記基板を洗浄する洗浄工程と、
前記洗浄工程において洗浄された後の前記基板を乾燥する乾燥工程と、
を含み、 前記洗浄工程は、
前記基板の表面に紫外線を照射する第１の洗浄工程と、
前記紫外線を照射した後の前記基板の表面に超純水を散布する第２の
洗浄工程と、を含むことを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項２】
前記超純水を生成する生成工程をさらに含み、
前記第２の洗浄工程では、前記生成工程において生成された前記超純水
を、直接、前記基板の表面に散布することを特徴とする請求項１に記載
の基板洗浄方法。
【請求項３】
前記乾燥工程では、前記洗浄工程において洗浄された後の前記基板の表
面に、大気圧プラズマを照射することを特徴とする請求項１に記載の基
板洗浄方法。
【請求項４】
前記乾燥工程は、
前記洗浄工程において洗浄された後の前記基板の表面に、エアーナイフ
から噴出される圧縮空気を吹き付ける第１の乾燥工程と、
前記第１の乾燥工程の後に、前記基板の表面に大気圧プラズマを照射す
る第２の乾燥工程と、を含む ことを特徴とする請求項１に記載の基板洗
浄方法。
【請求項５】
前記第２の洗浄工程では、オゾンが含有された前記超純水を散布するこ
とを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄方法。
【請求項６】
前記第２の洗浄工程では、ナノバブルが含有された前記超純水を散布す
ることを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄方法。
【請求項７】
基板を洗浄する基板洗浄装置であって、
前記基板を洗浄する基板洗浄部と、
前記基板洗浄部において洗浄された後の前記基板を乾燥する基板乾燥部
と、を備え、
前記基板洗浄部は、
紫外線光源を有し、当該紫外線光源から放射される紫外線を前記基板の
表面に照射する紫外線照射部と、
スプレーヘッドを有し、前記紫外線照射部において紫外線が照射された
後の前記基板の表面に、前記スプレーヘッドから超純水を散布する超純
水散布部と、を備えることを特徴とする基板洗浄装置。
【００５１】
このように、本実施形態では、有機溶剤を使用することなく高い洗浄力に
より基板表面を洗浄することができる。また、本実施形態では、タクト
タイムの短縮や装置の小型化、保守メンテナンスの簡素化なども実現可
能である。
なお、上記実施形態では、洗浄対象の基板がガラス基板である場合につ
いて説明したが、上記に限定されるものではなく、洗浄対象の基板は、
例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）などの樹脂基板（樹脂フ
ィルム）であってよい。ただし、洗浄対象が樹脂である場合、例えば超
純水散布部１２０では、超純水にオゾンを含有させるのではなく、ナノ
バブルを含有させるようにすることが好ましい。これにより、オゾンに
よる基板劣化を抑制することができる。
また、上記実施形態では、洗浄対象の基板がペロブスカイト太陽電池
の基板（基材）である場合について説明したが、上記に限定されるもの
ではなく、その他の用途の基板を洗浄対象とすることもできる。
この項了
✳️原子間ステップフリーAI2O3/ダイヤモンド界面を用いた反転チャネル
MOSFET作製
【要約】ノーマリーオフ動作と8 cm2/Vsの電界効果移動度（μFE）を有す
る最初の反転チャネルダイヤモンドMOSFETを報告し、その後、ダイヤモン
ドMOSFET関連技術を開発してきたが、反転チャネルダイヤモンドMOSFET
のμFEは20 cm2/Vsであり、理想的なチャネル移動度3000 cm2/Vsを依然と
して下回っている。この低移動度の主な原因の一つは、ダイヤモンド表面の
バンチングステップによって生じる1013 cm2eV 1以上の高い界面準位密度
（Dit）です。本研究では、Ditを低減しμFEを向上させるために、原子レベル
ステップフリーのAl2O3/ダイヤモンド（111）界面を有する反転チャネルp
型ダイヤモンドMOSFETの製造プロセスを提案し、ステップフリー界面ダイ
ヤモンドMOSFETの実現を実証した。ステップフリーダイヤモンドMOSFE
Tは、ノーマリーオフ、ゲート電圧制御、および明確な飽和特性を示しまし
た。ステップフリーダイヤモンドMOSFETのμFEとDitはそれぞれ30.6 cm2/
Vsと2.8×1012 cm2eV 1であった。このDit値は、Al2O3/ダイヤモンド界面
を用いた反転チャネルMOSFETとしては、これまでに報告されているものの
中で最も低い値である。
【緒言】ダイヤモンドは、広いバンドギャップ、高いキャリア移動度、高い
絶縁破壊電界、高い熱伝導率など、優れた物理的特性を有する[1–4]。そのた
め、パワーエレクトロニクスデバイスへの応用が期待されており、金属半導
体電界効果トランジスタ（MESFET）[5–8]、接合型電界効果トランジスタ（
JFET）[9]、バイポーラ接合トランジスタ（BJT）[10,11]など、様々なデバイ
スが開発されている。その中でも、一般的なスイッチングデバイスである金
属酸化物半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）は広く研究されている[12
–20]。当研究グループでは、2016年にノーマリオフ動作のp型反転チャネル
ダイヤモンドMOSFETを作製し[14]、その後も改良を重ねてきた。しかし、
試作したMOSFETの電界効果移動度（μFE）は、理論値の5400cm2/Vs[4]と
比較して、リン体で20cm2/Vs[21]、窒素体で6cm2/Vs[22]に過ぎなかった。移
動度が低い主な理由の一つは、ダイヤモンド表面のバンチングステップによ
って生じる1013cm2eV-1以上の高い界面準位密度（Dit）である。具体的に
は、ステップエッジが完全にOH終端されていないため、界面準位が発生し、
μFEが低下すると考えられている[23,24]。これは、(1) MOS界面におけるイ
オン化不純物および電荷によるクーロン散乱、(2) フォノン散乱、および(3)
MOS界面の凹凸による界面ラフネス散乱の(1)と(3)であり、これらは移動度
を制限する散乱メカニズムと考えられています[25]。実際、DaligouとPernot
は最近、原子ステップフリーのMOS界面と1010 cm2eV 1未満のDitにより、
3000 cm2/Vsの移動度を有する2次元正孔ガスp-chダイヤモンドMOSFETが
実現できることを理論的に示唆した[26]。本研究では、当研究グループが開
発した原子ステップフリーのAl2O3/ダイヤモンド界面を形成できるMOSFE
T製造プロセス[27]を用いて、Al2O3/ダイヤモンド(111)界面に原子ステップ
が1つもないp型反転チャネルダイヤモンドMOSFETを作製した。このプロセ
スは、界面粗さの散乱を最小限に抑え、Ditを低減することでμFEを向上させ
ることを目的としている。このステップフリーダイヤモンドMOSFETに埋め
込みドリフト層を追加することで、数100V以上の耐圧を持つ横型パワーダイ
ヤモンドMOSFETを実現できると考えている。