８．泰 伯 たいはく
ことば------------------------------------------------------
「人のまさに死せんとするや、その言うこと善し」（５）
「士はもって弘毅ならざるべからず。任重くして道遠し」（８）
「民はこれによらしむべし。これを知らしむべからず」（10）
「その位に在らざれば、その政を謀らず」（15）
「学は及ばざるがごとくするも、なおこれを失わんことを恐る」（18）
------------------------------------------------------------
１６ 楽官長摯の作品の中でも、間服の曲の終楽章はとくにすばら
しい。そのひびきは果てしなく耳にひろがる。（孔子）
★訳は新注によったが、異説がきわめて多い。
子曰、師摯之始、關雎之亂、洋洋乎盈耳哉。
Confucius said, "The tune of Guan Sui, from the beginning to
the end, fills my ears with a beautiful and peaceful melody."
【佐竹本三十六歌仙トレッキング；大伴家持③ 】
#TheThirtSixImmortalPoets#OotomonoYakamochi
大伴家持（７１８ ?～８５）：収録
歌最多の歌人として名高く、その主要な編者であったとも考えられ
ている。激しい政争の中を不遇なまま過ごしただけでなく、没後に
発生した藤原種継たねつぐ暗殺への関与が疑われ、大同元年（８０
６）まで除名処分を受ける。
東（あゆ）の風いたく吹くらし奈呉の海人の釣する小舟漕ぎ隠る見ゆ
『万葉集』巻17-4017
あゆの風が強く吹いているらしい。奈呉の漁師が釣りをする小舟が
波間に見え隠れしている。
この歌の初句「東風」の後にわざわざ「越の俗《くにぶり》の語《
ことば》、東風をあゆのかぜといふ」と注釈が書き加えられている。
下線部分の原文(万葉仮名)は「安由乃可是」。主に北陸地方など日
本海側で結構激しく吹く夏の風。俳句の夏の季語「あいの風」はこ
の万葉歌による。 
人口減少時代のまちづくり⑲
２７ 一人暮らし社会と家族形態の変化とは
【要点】
①２０３０年には中高年層の一人暮らしの増加が予想されている。
②２０１５年には男性のほぼ４人に１人、女性のほぼ７人に１人が
生涯未婚。
③一人暮らし高齢者の大半が、子どもなどとの同居を望んでいない。
１ 一人暮らし社会～単独世帯、未婚化の増加
「ひとり暮らし社会」化か進んでいます。その理由の１つとして、
単独世帯が増えている。２０１５年の国勢調査によると全国の単独
世帯数はＩ,８４２万に上り全世帯（５３３３万世帯）の３４・５
％、人口（１億２７０９万人）で約７人にＩ人が一人暮らしという
状況。例えば、２０年前の１９９５年と比較してみると、単独世帯
はＩ１２４万世帯で全世帯（４３９０万世帯）の２５・６％と、率・
数ともに増加している。また、５歳階層別にみると、回収代後半か
ら２０歳代前半はともかく３０歳代や７５歳代後 以降の世代で増
加傾向にあり、さらに、団塊の世代が８０歳代に入る３０年では、
８５歳以上が他の５歳階層と比較して最も多く、全世帯（５３４８
万世帯）の３・４％、単独世帯の８・ ９％を占めると推計されて
いる。また、５０歳以上の単独世帯も増加が予想され、３０年には
総世帯の２３・８％、単独世帯の５３％を占めると推計され、高齢
者や中年層の一人暮らしの 増加が予想されている。 さらに、未婚
化の流れが挙げられる。その傾向を生涯未婚率」（５０歳時点で生
涯一度も結婚したことのない人の割合）の 推移で見ると、１５年
の男性の生涯未婚率は２３％、女性は１４％ です。この数値は、
男性のほぼ４入に１入、女性のほぼ７入 にＩ入が生涯未婚という
ことを意味する。00年の男性 １２・６％、女性５・８％から見る
と増加が目立ち、「結婚離れ」 の傾向が見て取れる。そして３０
年の生涯未婚率はそれぞれ２８％、１９％にまで高まるとみられ
ている。
２ 「一人暮らし社会」化～家族形態の変化と消滅
こうした、単独世帯化や生涯未婚率の上昇が、「一人暮らし社会」
化の傾向を押し上げていると思われる。さらに、人口問題研究所の
調査（１５年）では、１８～３４歳の未婚者のうち「いずれは結婚
したい」と考えている人は男性８６％、女性８９％と、その割合は
高水準ですが、障害として「結婚資金」を挙げる人が最も多く、男
女ともに４０％を超えています。非正規雇用の割合が４割を超える
中、雇用の不安定化か結婚を難しくする一因となっているのではと
思われます。また、内閣府の「一人暮らし高齢者に問する意識調査」
（１５年）によると、一人暮らし高齢者に「今後の同居の意向」を
尋ねると、釣７６％が「今のまま工人暮らしでよい」と回答し、子
供などとの同居を望んでいないということです。同居への配慮も含
めて、自分のペースで暮らし続けたいという気持ちが強いようです。
雇用や結婚、出産も、そして家族のあり方も多様性を含ん選択の時
代に入りつつあり、家族のつながり方や形態は変化、さらには消滅
への流れをも含んで進んでおり、今後の日本社会のありようにまで
つながる問題となっている。
３ 今後の対応～豊かな社会環境と基盤づくリ
一人暮らし社会は、結果として、介護や孤独死の問題につながりか
ねません。単身者への住宅支援や、特に、高齢者への介護や医療な
どの受け皿づくりも求められます。さらに、未婚率の上昇につなが
る経済的要因など、結婚を後押しする対策も急がれます。若い時代
には、生活を干渉されない、気を遣わずに生活できるというメリッ
トから一人暮らしが行われることが多いでしょう。また、個人とし
て、一人暮らしが良いと考え、実践する人もいるでしょう。しかし、
長い人生サイクルの中で、家族や地域、そして社会との多様な繋が
りを築き、時々に応じ、それぞれが豊かな人生を選択できるという
環境と基盤を社会として築いていくことが前援になければならない。
キーワード 単独世帯／未婚率／家族形態の変化
デンマークで10代の自傷行為が大きく減った理由
近年では１０代の青少年における自傷行為の増加が問題視されてお
り、イギリスやアイルランドでは０８年のリーマン・ショックに端
を発する経済危機の後で１０代の自傷行為が増加し、減少する兆候
も見られていない。ところがデンマークにおいては０８年から１６
年にかけて１０代の自傷行為が大きく減少している。その理由につ
いてマンチェスター大学のSarah Steeg氏の考察が紹介されている。
経済不況は自殺の増加と関連していると考えられており、０８年の
経済不況後は多くの国々で自殺者数が増加しているという研究結果
もある。自殺そのものは個人的な事象であるものの、社会が個人の
行為に影響を与えることは１９世紀後半から指摘されてきた。自殺
と同様に自傷行為も社会が不安定になると共に増加すると見られて
おり、たとえばアイルランドでは０７年から１６年の間で自傷率が
２２％増加した。
デンマークの青少年における病院で治療された
自傷の発生率の時間的傾向（下図）
不況に対応する政策としてイギリス政府は緊縮政策を採用し、医療
費や失業手当、社会サービスへの支出が抑えられたが、この政策は
国民のメンタルヘルスと福祉に悪影響を与えたと指摘されている。
イギリスで行われた調査の結果で、自傷の割合が最も高いのは貧困
家庭の１０代の若者。これらの若者は雇用市場の悪化による直接的
な影響を成人ほど大きく受けないが、アイルランドをはじめとする
各国では、１０代の若者が自傷に走る割合が増えている。
デンマークの調査では全人口をカバーする６２０万人分の国民医療
データベースを分析、０８年から１６年にかけて自傷率が毎年減少、
研究の最初と最後で実に４０％も自傷率が減っていた。自傷が減っ
たのは１０代前半から後半まで、男女問わず幅広い層の若者であっ
た。その理由は、デンマークで９２年以来、自殺の危険がある人々
に対して、自殺予防クリニックが心理社会的治療を提供するプログ
ラムを拡大しており、「メンタルヘルスサポートへのよりよいアク
セスが充実している」ことであることを突き止める。
一方で、デンマークと同様の精神保健サービスへのアクセスが整っ
ている国はほとんどなく、特に青少年は適切なサービスにアクセス
することが難しいとのこと。イギリスでは貧困地域に住む若者の自
傷率が高いものの、貧困状態にある若者は精神的な治療を受ける可
能性が他の層と比較して低いことがわかっている。
❦ 数理工学的手法と自殺要因と自殺率及び現代自殺論を考察する
には時間が足りない。残件扱い。北欧は発生率が低いようだ。
【ポストエネルギー革命序論８６】 
図１ 左）4インチ角のシリコンウエハー上に印刷された極薄有機半
導体単結晶膜ウエハー。 右）用いられた有機半導体分子の化学構造
と、単結晶膜中の集合構造の模式図。
高密度・高信頼性・超低コストの印刷型集積回路事業化
1,600個以上の超高移動度印刷有機トランジスタアレイ、実用レベ
ルの均一性と信頼性を達成
【要点】
①簡便な印刷法を用いて厚さがわずか10ナノメートルの極薄有機半
導体単結晶膜のウエハーの作製に成功
②ウエハー上に作製した1,600個のトランジスタが欠陥なく全て駆動
し、平均移動度は実用化指標となる約10 cm2/Vsを達成
③印刷規模の大面積化による高速有機トランジスタ集積回路の大量
生産および社会実装の実現に期待。
１１月５日、東京大学らの同研究グループは、高性能トランジスタ
として利用可能な有機半導体ウエハーを簡便な印刷法により作製。
有機半導体は軽量性、柔軟性、印刷適合性などの観点から、現状の
シリコン半導体に置き換わり、安価に大量生産可能な次世代の電子
材料として期待されてきた。この点から、実デバイスに利用できる
有機半導体や印刷手法の開発が、長い間進められてきた。今回、本
研究グループは、独自の有機半導体材料と印刷技術を用いることで、
分子3層分程度の厚みを有する極薄有機半導体単結晶膜の4インチ級
ウエハーを作製できることを実証。このウエハー１枚から作製され
た1,600個のトランジスタは欠陥なく動作し、平均の電荷の移動度
は実用化の指標となる10cm2/Vs以上を達成したことを公表。従来の
有機半導体印刷に比べて、今回の印刷方法では材料消費が極めて少
なく、また印刷面積の大規模化においてプロセス時間短縮につなが
ると考えられ、将来の産業応用を見据える上で大きなコストダウン
が見込まれる。
【概説】
電子回路を構成するトランジスタは、従来用いられるシリコン半導
体に比べ、有機半導体は印刷による低温プロセスによりコストダウ
ンが期待できる、次世代の電子材料として盛んに研究されている。
特に、IoT社会に必要なRFIDタグやトリリオンセンサーユニバー
スにおける大きな貢献が期待されている。ところが、有機半導体の
多くは、低温での印刷性能と優れた半導体特性とを併せ持つことが
少なく、世界でも実用的な電子デバイスの研究開発がなかなか進ん
でいません。また、高い有機トランジスタ性能を引き出すための均
一性や再現性に優れたプロセス技術の確立も大きなカギである。
この解決案の一つとして、最近では、印刷可能な有機半導体を用い
た単結晶膜が注目されている。現状は有用な有機半導体は限られる
ものの、印刷技術や理論の発展により、小規模研究レベルで比較的
高性能な有機半導体単結晶膜が印刷可能となっいる。今後大量生産
に向けて、有機半導体材料の改良と共に、大量生産が可能な手法を
見極める必要がある。
有機半導体材料を用いた印刷技術により、わずか分子２層分程度の
厚みの極薄有機半導体単結晶膜の作成に成功、移動度15cm2/Vs以上
を示す高性能p型有機半導体トランジスタを作製できることを報告。
J. Takeya, et al., Science Advances 2018 http://www.k.u-toky
o.ac.jp/info/entry/22_entry625/）。この極薄単結晶膜を印刷する
際、同グループが開発した「連続エッジキャスト」法を用いると、
有機半導体インクを吐出するノズルのスキャン箇所にだけ単結晶薄
膜が成長します。この時、有機半導体インクの濃度や印刷温度など
の精密な制御により、分子レベルで層数制御された単結晶薄膜の製
膜が可能になります。単結晶膜はおよそ10ナノメートルと非常に薄
く、電気伝導層として最薄レベルに匹敵するため、極めて高い材料
利用効率になります。断続的にインクを供給しながら印刷を行うた
め、ノズルの拡張により大面積印刷が可能である。原理的に、この
手法はノズル幅を拡げることで単位面積当たりの印刷時間を削減す
ることが可能です。この点で、インクジェット法など印刷時間が印
刷面積に比例する印刷方法に比べて優れている。
今回、ノズル幅を従来の4倍以上となる9 cmに拡大し、周辺装置およ
び印刷条件を改良することで、およそ3分子層（12ナノメートル）か
らなる均一な有機半導体単結晶膜印刷の大面積化を実証（図１）。
９cm幅のノズルから得られる極薄有機単結晶ウエハは４インチ級の
大きさであり、市販のシリコンウエハに匹敵。また、用いた有機半
導体は化学的に安定であるため、単結晶薄膜上でフォトリソグラフ
ィによる電極パターニングが可能です。４インチ有機半導体ウエハ
に、1,600個のトランジスタを作製したところ、欠陥なく全てが駆動
するだけでなく、得られた平均の移動度は、現状の有機トランジス
タにおいて最高クラスである10 cm2/Vsに達成した（下図２）。
図２ 左）有機半導体単結晶ウエハーから作製された1600トランジ
スタアレイの写真。中央）全トランジスタの伝達曲線、および右）
移動度マッピング。赤で示される領域で移動度10 cm2/Vsが達成され
た。
液保持ブレードの上部から連続的に供給され、その間、ステージに
固定された基板が一方向に移動する。有機薄膜結晶は、ステージの
動きとは逆の方向に成長する。（b）セットアップの概略図。 印刷
（結晶成長）条件を制御するために、溶液槽、溶液供給ライン、溶
液保持ブレード、およびステージの温度を個別に監視および制御で
きる。
シリコンウェーハ基板上の90mmx90mmmm C9–DNBDT–NW結晶の共焦点
顕微鏡画像。結晶成長方向に対応するせん断方向は、左から右でし
た。スケールバー：10mm。白と黄色の点線は、OFETが配置されてい
るエリアを示している。結晶成長の観点から、欠陥のないモノドメ
イン結晶は「完全結晶」と呼ばれます。しかし、典型的な単結晶は、
熱力学の第三法則による固有の格子欠陥または不純物を示す。一方、
「多結晶」は、微視的な結晶の配向が優先方向なしでランダムにな
る可能性があるマルチドメイン固体として定義される。「多結晶」
という用語は、この論文で結晶性薄膜を定義するために使用されな
い。この結晶の配向には優先的な方向があるためである代わりに、
「単結晶」という用語が結晶膜に使用される。不整合の問題は、印
刷装置と印刷条件を改善することで克服できると予測している。
（a）デバイス構成の概略図。（b）デバイスの交差偏光光学顕微鏡
画像。（c）デバイスの伝達特性（VD = -20 V）。黒の破線とマゼン
タの一点鎖線は、それぞれ理想的なトランジスタの適合と傾きを表
す。チャネル長（L）とチャネル幅（W）は200μmと500μm。
1,600（40×40マトリックス）OFETの評価。（a）OFETアレイの写真。
（b、c）864個のOFETのウェーハの中心で得られた伝達曲線（VD =
-20 V）（27×32マトリックス）。（d）すべての1,600 OFETのモビ
リティマップ。（e）測定されたモビリティの統計。（f）測定され
た信頼性係数rの統計。
方法：材料とOFETアレイの製造
C9–DNBDT–NWは社内で合成および精製されました。 OFETは、パリレ
ンdiX-SR（KISCO Ltd.）による表面改質を施したシリコンウエハ基
板上に調製されました。厚さ100 nmの熱酸化SiO2層を備えた６イン
チの高ドープn ++シリコンウェーハは、厚さ25nmのdiX-SRでカプセ
ル化され、SiO2およびdiX-SR二層ゲートの単位面積あたりの静電容
量（Ci）誘電体は26.3 nF cm-2と測定されました。3-クロロチオフ
ェン中のC9–DNBDT–NWの0.02wt％溶液を105℃で調製した。 C9–DNBDT
–NWフィルムを形成する前に、基板を100mm×100mmの正方形に成形し
ました。幅90 µmmの溶液供給ブレードを使用した連続エッジキャス
ティング法を適用して、C9–DNBDT–NWの大面積単結晶を形成し、ブレ
ードを固定し、基板を保持するステージを15で移動しました。結晶
成長の方向とは反対方向のμms-1次いで、結晶を８０℃の真空オー
ブンに１０時間入れて、残留溶媒を完全に除去した。 OSCoR4001
（Orthogonal Inc.）とAURUM S-50790（Kanto Chemical Co. Inc.）
がそれぞれフォトレジストと金エッチング液として採用され、パタ
ーン化されたトップコンタクト100nmを形成する複数のフォトリソグ
ラフィープロセスにより、ソース電極とドレイン電極が準備された。
-厚いAu層。 40×40のマトリックスを持つOFETアレイを準備した。
個々のOFETは、従来のイットリウム-アルミニウム-ガーネットレー
ザーを使用してエッジエッチングされた。各OFETのチャネル幅（W）
は500μm、長さ（L）は200μm（W / L = 2.5）でした。
電気測定
すべての電気測定は、半導体パラメーターアナライザー（Keithley
4200-SCS）と半自動プローブステーション（HiSOL HSP-150）を組み
合わせて、暗闇および周囲条件下で実施しました。 飽和領域での
移動度μは、以下を使用して伝達特性から決定された。
ここで、ID、L、W、Ci、VG、Vth、およびVDは、それぞれドレイン
電流、チャネル長、チャネル幅、単位面積あたりの容量、ゲート電
圧、しきい値電圧、およびドレイン電圧。 Ciの値は、5kHzの周波数
での静電容量-電圧測定から決定された。推定された移動性の妥当性
を評価するために、飽和領域での信頼性係数35、rは、次の式を使用
して計算された。ここで、| ID | maxは最大ゲート電圧| VG | max
およびI 0 Dでの最大ドレイン電流。ID0 VG = 0でのドレイン電流。
参考資料：
新領域：厚さわずか数分子、２次元有機単結晶ナノシートの大面積
成膜に成功,印刷できる高速有機集積回路基板,2018.02.03
❦ 有機半導体も大量投入される時代に入ることを約束する大面積印
刷技術である。面白い。