再エネは俺に任せろ ④

　　
彦根藩二代当主である井伊直孝公をお寺の門前で手招き雷雨から救ったと
伝えられる"招き猫"と、井伊軍団のシンボルとも言える赤備え。（戦国時
代の軍団編成の一種で、あらゆる武具を朱塗りにした部隊編のこと）の兜
（かぶと）を合体させて生まれたキャラクタ。

犬上川今橋 2023.08.15 09:45 現在

【俺の剪定日誌 ⑦：ドウザンツツジ】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　
灯台諦濁・満天星　別名：ドウダン／ツツジ科ドウダンツツジ属。　刈り
込こんで仕立てて春の白花と秋の紅葉を楽しめるみじかで贅沢な春花木。

■ 刈り込み後枝元を間引く
基本データ：ドウダンツツジは落葉性のツツジで、春にスズランのような
白い小さな釣鐘状の花をつける。柱が密に出て萌芽力が強いので、刈り込
みで丸＜仕立てられる。翌年の花芽は、夏にその年の春から伸びた柱先に
つきますので、７月頃までに刈り込めば花芽を落とすことはない。ただし、
６月を過ぎて伸びた新芽は、充実できずに美しく紅葉しない。秋の紅葉を
楽しみたいのであれば、花後すぐに刈り込まなくてはならない。刈り込ん
だ後、切り口から車柱状の新柱が発生するので､秋以降に樹形が乱れたら､
内向きの柱や勢いのある車柱状の中心の柱を柱元から間引く。

【基本データ】
●樹高:　自然状態…2～4m　庭植目安…0.5～|.5m
●枝張り:　自然状態…|～2m　庭植目安…0.3～lm
●生長速度:やや遅い　●陽当たり:陽樹
●乾湿:乾燥に弱い　●大気汚染:普通
●萌芽力:強い　●主な病害虫:特になし
●栽培可能地域:　東北～沖縄
●花色:白　●剪定難易度:易しい

■ドウダンツツジの剪定

【追記】ドウダンツツジの仲間で､釣鐘状のピンクの花をつけるサラサド
ウダンは､枝葉が粗く野趣味があるので、刈り込みせずに自然樹形で仕立
てて持ち味を生かす。

【再エネ革命渦論 154: アフターコロナ時代 155】
● 技術的特異点でエンドレス・サーフィング
　　　特異点真っ直中㉞

全天候型超小型ＥＶ　画像：静岡新聞 via ＮＨＫ
静岡のメーカが開発した、充電が家庭用のコンセントで行い、航続距離は
60～80キロと短く、価格は1台130万円と超小型ＥＶが紹介がされていた。
もともと、「軽四ＥＶの普及の促進」による脱化石燃料自動車政策を考え
ていたのでどうつてことはないのが、注目したことは２つ。この台風７号
対策でスマホ用予備電源を購入したのだが、リチウム電池なのだが、４年
前講習しようと価格を調べていたのだが価格６千円前後だったものが価格
が半分まで提言しその早さに驚く。つまりは、政府がきちっと「持続可能
社会垂直立ち上げ政策」として実行すれば、「電池事業」だけでなく、ゼ
ロカーボン社会達成できるモデルとなるはずだと反省すると同時に、この
メーカの電池は、従来の廉価鉛蓄電池を開発しているこで、完全リサイク
ルを前提とすれば問題ないはずだということに制度整備すればいいのだと
気付いたことが第１点。２つめは、これを拡張して、エネルギー密度は劣
り、設置スペースも大きくなるが、リチウム電池に拘らずナトリウム電池
の大型化を推進し高性能ナトリウム蓄電池ヤードの整備すべきではないだ
ろかと。考えてみれば、送電は電磁波で供給できる時代、完全リサイクル
とワイヤレス化（デジタル革命基本則のシームレス）できる時代、きっち
りとした最適化（高付加価値化）事前評価にパスすれば、一気に廉価な持
続可能社会に貢献できるはずだ。また、リチウム電池も配置する。
出所：日本電気硝子

先回は、洋上浮体式太陽発電と小型風力発電機について掲載した。今回は、
ペロブスカイトハイブリッド型太陽電池製造方法の最新特許事例を掲載。

１．特許第7282961号光電変換素子の検査装置、光電変換素子の製造装置、
光電変換素子の製造方法株式会社東芝他
【概要】
タンデム型太陽電池を製造する場合は、例えば、半導体基板の受光面側と
は反対側に、この半導体基板を第１光活性層として機能させる第１光電変
換素子を形成して中間体とする。次いで、中間体の受光面側に、第２光活
性層を含む第２光電変換素子を形成して、タンデム型太陽電池を完成させ
る。第１光活性層として挙げられる結晶シリコンは、シリコンウェハから
切り出す等して形成される。シリコンウェハの表面には切削痕があるため、
ペロブスカイト層を厚膜化することが望ましい。しかし,ペロブスカイト
層を厚膜化するとペロブスカイト層にピンホールが生じやすい。厚膜化に
伴うピンホールは異物に起因するものの他、ペロブスカイトの結晶過程で
生成されるものがある。ペロブスカイト層の形成を２ステップ塗布法（基
板上にＰＢＩ２を塗布してからＭＡＩの塗布を行う塗布法）で行う場合、
２液目で形成されるものがある。厚膜化に伴うピンホールは、ペロブスカ
イト層の法線方向に対して傾斜した斜めピンホールとなりやすい。この斜
めピンホールは、一定位置からの検出では発見し難く、補修の機会を失う
虞がある。

下図４のごとく、実施形態の光電変換素子の検査装置、光電変換素子の製
造装置、光電変換素子、光電変換素子の製造方法は、一つまたは複数の光
源と、駆動装置と、カメラと、計算機と、を持つ。光源は、ペロブスカイ
ト層に、ペロブスカイト層を透過またはペロブスカイト層で反射の少なく
とも一方が可能な検査光を照射する。駆動装置は、ペロブスカイト層を有
する基板と光源との間の距離または角度の少なくとも一方を変化させる。
カメラは、ペロブスカイト層を透過またはペロブスカイト層で反射した検
査光の少なくとも一方の色相を検出する。計算機は、カメラが検出した、
ペロブスカイト層上の色相が異なる点の位置を算出する、ペロブスカイト
層に生じたピンホールを検出しやすくすることができる光電変換素子の検
査装置、光電変換素子の製造装置、光電変換素子、光電変換素子の製造方
法を提供することである。

図４．実施形態の光電変換素子の検査装置および製造装置の第１の実施形
　　　態を示す模式図
【符号の説明】１，１１…光電変換素子、５ａ，１５ａ…ペロブスカイト
層、８ｂ，１８ｂ…基板、２０，１２０，２２０…検査装置、２１，１２１，
２２１…第一ライト（光源）、２２，１２２，２２２…第一カメラ（カメ
ラ）、２４，１２４，２２４…第二ライト（光源）、２５，１２５，２２
５…第二カメラ（カメラ）、２７，１２７…テーブル駆動装置（駆動装置）、
２８，１２８，２２８…計算機、３０，１３０，２３０…製造装置、３１，
１３１，２３１…補修装置、２２７…スピンコート装置（駆動装置）、Ｌ１，
Ｌ３，Ｌ５…第一検査光（検査光）、Ｌ２，Ｌ４，Ｌ６…第二検査光（検
査光）、Ｐａ，Ｐｂ…ピンホール

【特許請求の範囲】
【請求項１】ペロブスカイト層に、前記ペロブスカイト層を透過または
前記ペロブスカイト層で反射の少なくとも一方が可能な検査光を照射する、
一つまたは複数の光源と、前記ペロブスカイト層を有する基板と前記光源
との間の距離または角度の少なくとも一方を変化させる駆動装置と、前記
基板と前記光源との間の距離または角度の少なくとも一方を変化させなが
ら、前記ペロブスカイト層を透過または前記ペロブスカイト層で反射した
前記検査光の少なくとも一方の色相を検出するカメラと、前記カメラの検
出情報から、前記ペロブスカイト層上の前記色相が異なる点の位置を算出
する計算機と、を備える、光電変換素子の検査装置。
【請求項２】ペロブスカイト層に、前記ペロブスカイト層を透過または前
記ペロブスカイト層で反射の少なくとも一方が可能な検査光を照射する、
一つまたは複数の光源と、前記ペロブスカイト層を有する基板と前記光源
との間の距離または角度の少なくとも一方を変化させる駆動装置と、前記
基板と前記光源との間の距離または角度の少なくとも一方を変化させなが
ら、前記ペロブスカイト層を透過または前記ペロブスカイト層で反射した
前記検査光の少なくとも一方の色相を検出するカメラと、前記カメラが検
出した、前記ペロブスカイト層上の前記色相が異なる点の位置を算出する
計算機と、前記計算機が算出した、前記ペロブスカイト層上の前記色相が
異なる点の位置に、前記ペロブスカイト層を形成する原材料の溶液、ある
いは絶縁性を有する物質を溶質とする溶液を付着させる補修装置と、を備
える、光電変換素子の製造装置。
【請求項３】前記溶液は、絶縁性を有する乾燥物を形成する、請求項２に
記載の光電変換素子の製造装置。
【請求項４】前記溶液は、ペロブスカイト構造を有する乾燥物を形成す
る、請求項２に記載の光電変換素子の製造装置。
【請求項５】ペロブスカイト層に、前記ペロブスカイト層を透過または
前記ペロブスカイト層で反射の少なくとも一方が可能な検査光を照射する、
一つまたは複数の光源と、前記ペロブスカイト層を有する基板と前記光源
との間の距離または角度の少なくとも一方を変化させる駆動装置と、前記
基板と前記光源との間の距離または角度の少なくとも一方を変化させなが
ら、前記ペロブスカイト層を透過または前記ペロブスカイト層で反射した
前記検査光の少なくとも一方の色相を検出するカメラと、前記カメラが検
出した、前記ペロブスカイト層上の前記色相が異なる点の位置を算出する
計算機と、前記計算機が算出した、前記ペロブスカイト層上の前記色相が
異なる点の位置に、前記ペロブスカイト層の表裏面の電極を除去するレー
ザ、あるいは前記基板のうちピンホールに接する面を焼成させて絶縁部を
形成させるレーザを照射するレーザ装置と、を備える、光電変換素子の製造
装置。
【請求項６】基板の表面に、ペロブスカイト構造を形成する原材料の溶液
を塗布可能とし、かつ、前記基板を回転させながら、前記基板の表面に形
成されたペロブスカイト層の検査を可能とするスピンコート装置と、前記
ペロブスカイト層に、前記ペロブスカイト層を透過または前記ペロブスカ
イト層で反射の少なくとも一方が可能な検査光を照射する、一つまたは複
数の光源と、前記基板と前記光源との間の距離または角度の少なくとも一
方を変化させながら、前記ペロブスカイト層を透過または前記ペロブスカイ
ト層で反射した前記検査光の少なくとも一方の色相を検出するカメラと、
前記カメラが検出した、前記ペロブスカイト層上の前記色相が異なる点の
位置を算出する計算機と、を備える、光電変換素子の製造装置。
【請求項７】ペロブスカイト層に、前記ペロブスカイト層を透過または前
記ペロブスカイト層で反射の少なくとも一方が可能な検査光を光源から照
射し、前記ペロブスカイト層を有する基板と前記光源との間の距離または
角度の少なくとも一方を駆動装置で変化させながら、前記ペロブスカイト
層を透過または前記ペロブスカイト層で反射した前記検査光の少なくとも
一方の色相をカメラで検出し、前記カメラが検出した、前記ペロブスカ
イト層上の前記色相が異なる点の位置を計算機で算出し、前記計算機が算
出した、前記ペロブスカイト層上の前記色相が異なる点の位置に、前記ペ
ロブスカイト層の表裏面の電極を除去するレーザ、あるいは前記基板のう
ちピンホールに接する面を焼成させて絶縁部を形成させるレーザを照射す
る、光電変換素子の製造方法。

２．特開2022-176440 光電変換素子の製造方法、光電変換素子、光電変換
　モジュールの製造方法、光電変換モジュール、電子機器、及び電源モジ
　ュール株式会社リコー
【概要】
最近では、太陽光（直射光での照度：約１００，０００ｌｕｘ）に限らず、
ＬＥＤや蛍光灯など、低照度の光（照度：２０ｌｕｘ以上１，０００ｌ
ｕｘ以下）でも高い発電性能を有する室内向けの光電変換素子が注目を集
めている。光電変換素子を取り囲むように封止部を設けた有機薄膜太陽電
池が提案（特開2016-17408）されている。

下図１Ａのごとく、第１の基板上に第１の電極１２を形成する第１の電極
形成工程と、第１の電極１２上に光電変換層を形成する光電変換層形成工
程と、光電変換層上に第２の電極１７を形成する第２の電極形成工程と、
光電変換層の外周部に、途切れ部１９ａを有するように封止部材１９を付
与する封止部材付与工程と、第１の基板における第２の電極１７を有する
面と、第２の基板を対向させて、途切れ部１９ａにおいて封止部材１９が
接触するように押圧して貼り合わせる貼合工程と、を含む光電変換素子の
製造方法で、低照度光においても良好な光電変換性を有し、耐湿性や機械
的耐久性に優れる光電変換素子の製造方法の提供。

図１Ａは、平面視した本発明の光電変換素子の一例を示す概念図

【符号の説明】１１第１の基板　１２第１の電極　１３ホールブロ
ッキング層　１４電子輸送層　１５光増感化合物　１６ホール輸送層　
１７第２の電極　１８第２の基板　１９封止部材、封止部　１９ａ
途切れ部
【特許請求の範囲】
【請求項１】第１の基板上に第１の電極を形成する第１の電極形成工程と、
前記第１の電極上に光電変換層を形成する光電変換層形成工程と、前記光
電変換層上に第２の電極を形成する第２の電極形成工程と、前記光電変換
層の外周部に、途切れ部を有するように封止部材を付与する封止部材付与
工程と、前記第１の基板における前記第２の電極を有する面と、第２の基
板とを対向させて、前記途切れ部において前記封止部材が接触するように
押圧して貼り合わせる貼合工程と、を含む、ことを特徴とする光電変換素
子の製造方法。
【請求項２】前記封止部材を付与して形成される封止部が２層以上の層構
造を有する、請求項１に記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項３】前記封止部材付与工程が、前記途切れ部を有さないように封
止部材を付与する第１の封止部材付与工程と、前記途切れ部を有するよう
に封止部材を付与する第２の封止部材付与工程と、を含む、請求項１から
２のいずれかに記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項４】前記第２の封止部材付与工程が、前記第１の封止部材付与工
程により形成された封止部の上に前記途切れ部を有するように封止部材を
付与する、請求項３に記載の光電変換素子の製造方法。
請求項５】前記途切れ部が、前記貼合工程の前の前記封止部材を付与した
前記第１の基板を平面視したときに、角部に形成される、請求項１から４の
いずれかに記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項６】第１の基板と、第１の電極と、光電変換層と、第２の電極と、
封止部と、第２の基板とを有し、前記封止部が前記光電変換層の外周部に
配され、平面視したときに、前記封止部における前記光電変換層と対向す
る側と反対側の領域に、凹部を有する、ことを特徴とする光電変換素子。
【請求項７】第１の基板上に第１の電極を形成する第１の電極形成工程と、
前記第１の電極上に光電変換層を形成する光電変換層形成工程と、前記光
電変換層上に第２の電極を形成する第２の電極形成工程と、前記光電変換
層の外周部に、途切れ部を有するように封止部材を付与する封止部材付与
工程と、前記第１の基板における前記第２の電極を有する面と、第２の基
板を対向させて、前記途切れ部において前記封止部材が接触するように押
圧して貼り合わせる貼合工程と、を含む、ことを特徴とする光電変換モジ
ュールの製造方法。
【請求項８】第１の基板と、第１の電極と、光電変換層と、第２の電極と、
封止部と、第２の基板とを有し、前記封止部が前記光電変換層の外周部に
配され、平面視したときに、前記封止部における前記光電変換層と対向す
る側と反対側の領域に、凹部を有する、ことを特徴とする光電変換モジュ
ール。
【請求項９】請求項６に記載の光電変換素子を２以上有することを特徴と
する光電変換素子モジュール。【請求項１０】前記光電変換素子が直列
及び並列の少なくともいずれかで接続している、請求項９に記載の光電変
換モジュール。
【請求項１１】請求項６に記載の光電変換素子及び請求項８から１０の
いずれかに記載の光電変換モジュールのいずれかと、前記光電変換素子及
び前記光電変換モジュールによって発生した電力によって動作する装置と
を有することを特徴とする電子機器。
【請求項１２】請求項６に記載の光電変換素子及び請求項８から１０のい
ずれかに記載の光電変換モジュールのいずれかと、電源ＩＣと、を有する
ことを特徴とする電源モジュール。
【請求項１３】請求項１２に記載の電源モジュールと、蓄電デバイスと、
を有することを特徴とする電子機器。

３．特開2018-49970 光電変換素子株式会社東芝
【概要】下図１のごとく、実施形態の光電変換素子は、第１の電極と、第
２の電極と、第１の電極および第２の電極に接し、ペロブスカイト型化合
物を含む活性層を備える光電変換層と、を具備する。Ｘ線回折測定により
得られる活性層のＸ線回折パターンは、ペロブスカイト型化合物の（００
４）面に起因する第１の回折ピークと、ペロブスカイト型化合物の（２２
０）面に起因する第２の回折ピークとを有する。第２の回折ピークの最大
強度に対する第１の回折ピークの最大強度の比は、０．１８以上である、
高い光電変換特性を有する光電変換素子を容易に製造する。

図１．光電変換素子の構造例を示す上面模式図

【符号の説明】１…基板、２…電極、３…電極、４…光電変換層、５…隔
壁、４１…活性層、４２…バッファ層、４３…バッファ層、４４…下地層、
４５…保護層、６１…支持体、６１ａ…回転軸、６１ｂ…支持面、６２…
被処理体、６２ａ…塗布層、６３…塗布機構、６３ａ…塗布液、７１…ガ
ス供給機構、７１ａ…ガス、８１…研磨ローラ、８１ａ…回転軸、８１ｂ…
研磨面、８２…移動機構、８３…制御機構、９１…支持体、９１ａ…回転
軸、９１ｂ…支持面、９２…支持体、９２ａ…回転軸、９２ｂ…支持面、
９３…支持体、９３ａ…回転軸、９３ｂ…支持面、９４…制御機構、９５
…クリーニング装置。
【特許請求の範囲】
【請求項１】第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極および前記
第２の電極に接し、ペロブスカイト型化合物を含む活性層を備える光電変
換層と、を具備し、Ｘ線回折測定により得られる前記活性層のＸ線回折
パターンは、前記ペロブスカイト型化合物の（００４）面に起因する第１
の回折ピークと、前記ペロブスカイト型化合物の（２２０）面に起因する
第２の回折ピークと、を有し、前記第２の回折ピークの最大強度に対す
る前記第１の回折ピークの最大強度の比は、０．１８以上である、光電変
換素子。【請求項２】前記ペロブスカイト型化合物は、一般式：ＡＢＸ
３で表され、前記Ａは、１級アンモニウムイオンであり、前記Ｂは、２
価の金属イオンであり、前記Ｘは、ハロゲンイオンである、請求項１に記
載の光電変換素子。
【請求項３】前記光電変換層は、前記第１の電極と前記活性層との間に
設けられた中間層をさらに有し、前記中間層は、有機材料を含む、請求項
１または請求項２に記載の光電変換素子。
【請求項４】前記中間層は、ポリエチレンジオキシチオフェンを含む請
求項３に記載の光電変換素子。
【請求項５】前記中間層は、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチ
レンスルホン酸とを含む、請求項３または請求項４に記載の光電変換素子。
【請求項６】前記光電変換層は、前記第２の電極と前記活性層との間に
設けられた第２の中間層をさらに有する、請求項１ないし請求項５のいず
れか一項に記載の光電変換素子。
【請求項７】第１の電極と、第２の極と、前記第１の電極および前記第
２の電極に接し、ペロブスカイト型化合物を含む活性層を備える光電変換
層と、を具備する光電変換素子の製造方法であって、前記ペロブスカイ
ト型化合物を含む被処理体の表面を研磨する工程と、前記研磨する工程の
後に前記被処理体に対して熱処理を行う工程と、を具備する、光電変換素
子の製造方法。
【請求項８】前記研磨する工程の前に前記ペロブスカイト型化合物の前駆
体を含む塗布液を前記被処理体の表面に塗布して塗布層を形成する工程と、
前記塗布層を形成する工程と前記研磨する工程との間に前記塗布層にガス
を吹き付けて前記ペロブスカイト型化合物を形成する工程と、をさらに具
備する、請求項７に記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項９】前記塗布液中の前記前駆体の濃度は、１７７０ｍｇ／ｍｌ以
下である、請求項８に記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項１０】前記塗布層を形成する工程の前に前記被処理体上に中間層
を形成する工程をさらに具備する、請求項８または請求項９に記載の光電
変換素子の製造方法。
【請求項１１】前記ペロブスカイト型化合物を形成する工程と前記研磨す
る工程との間に前記塗布層上に第２の中間層を形成する工程をさらに具備
する、請求項８ないし請求項１０のいずれか一項に記載の光電変換素子の
製造方法。
【請求項１２】第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極および前
記第２の電極に接し、ペロブスカイト型化合物を含む活性層を備える光電
変換層と、を具備する光電変換素子の製造装置であって、前記ペロブスカ
イト型化合物を含む被処理体を支持するための支持面を有する支持体と、
回転軸と、前記回転軸を中心に回転して前記被処理体の表面を研磨するた
めの研磨面と、を備える研磨ローラと、前記被処理体の表面が前記回転軸
と平行に前記研磨面に接するように、前記研磨ローラおよび前記被処理体
の少なくとも一つを移動させるための移動機構と、を具備する、光電変換
素子の製造装置。
【請求項１３】前記被処理体の表面に前記ペロブスカイト型化合物の前駆
体を含む塗布液を塗布して塗布層を形成するための塗布機構と、前記塗布
層にガスを吹き付けて前記ペロブスカイト型化合物を形成するためのガス
供給機構と、をさらに具備する、請求項１２に記載の光電変換素子の製造
装置。
【請求項１４】前記移動機構は、前記回転軸と平行な第２の回転軸と前記
被処理体を支持するための第２の支持面とを有する第２の支持体を有し、
前記研磨ローラよりも遅い回転速度で前記第２の支持体を回転させて前記
被処理体を移動させる、請求項１２または請求項１３に記載の光電変換素
子の製造装置。

４．特開2019-195111 タンデム太陽電池及びその製造方法エルジーエレ
　クトロニクスインコーポレイティド
【概要】
下図２のごとく、タンデム太陽電池及びその製造方法に関し、より具体的
には、シリコン太陽電池上にペロブスカイト太陽電池を積層して接合させ
たタンデム太陽電池及びこれを製造する方法に関する。本発明によれば、
ホモ接合（homo-junction）シリコン太陽電池で具現されるタンデム太陽電
池において、第１のパッシベーションパターンを導入し、第１のパッシベ
ーションパターンの下部のエミッタ層の一部を露出させて、第２電極を形
成するための高温焼成の際に、第１のパッシベーションパターンによりエ
ミッタ層が保護され、エミッタ層の表面欠陷を減少させ、ペロブスカイト
太陽電池の特性劣化問題を改善することができるホモ接合（homo-junction）
シリコン太陽電池で具現されるタンデム太陽電池において、ペロブスカイ
ト太陽電池の特性劣化問題を改善するタンデム太陽電池及びその製造方法
を提供する。

図２．発明の第１実施例によるタンデム太陽電池を示した断面図
【符号の説明】１００タンデム太陽電池　１１０シリコン太陽電池　
１１１結晶シリコン基板　１１２エミッタ層　１１３後面電界層　
１１４第１のパッシベーションパターン　１１５第１のパッシベーショ
ン層　１２０ペロブスカイト太陽電池１２１電子伝達層　１２２ペロ
ブスカイト吸収層　１２３正孔伝達層　１２５メソポーラス層　１３０
接合層　１４０電極　１４２透明電極層　１４４グリッド電極層　１５
０電極　１６０第２のパッシベーション層　２００タンデム太陽電池
２１０シリコン太陽電池　２１１結晶シリコン基板　２１３後面電界層　
２２０ペロブスカイト太陽電池　２３０接合層２４０電極　２４２透
明電極層　２４４グリッド電極層　２５０電極　２５２グリッド電極層　
Ｇ開口部
【特許請求の範囲】
【請求項１】結晶シリコン基板の第１面に配置されたエミッタ層と、前
記エミッタ層上に配置されて、前記エミッタ層の一部が露出する開口部を
有するようにパターニングされた第１のパッシベーションパターンを有す
るシリコン太陽電池と、ペロブスカイト吸収層を有するペロブスカイト太
陽電池と、前記シリコン太陽電池の第１のパッシベーションパターン上及
び前記開口部を通じて露出する前記エミッタ層上に配置され、前記エミッ
タ層の一部と接触し、前記シリコン太陽電池と前記ペロブスカイト太陽電
池とを接合する接合層と、前記ペロブスカイト太陽電池上に配置された第
１電極と、前記結晶シリコン基板の第２面に配置された第２電極と、を
有する、タンデム太陽電池。
【請求項２】前記結晶シリコン太陽電池は、前記結晶シリコン基板の第
２面に配置された後面電界層をさらに有する、請求項１に記載のタンデム
太陽電池。
【請求項３】前記ペロブスカイト太陽電池は、電子伝達層及び正孔伝達
層をさらに有する、請求項１に記載のタンデム太陽電池。
【請求項４】前記第１電極は、前記ペロブスカイト太陽電池上に配置さ
れた透明電極層と、前記透明電極層上に配置されたグリッド電極層とを
有する、請求項１に記載のタンデム太陽電池。【請求項５】前記透明電
極層は、凹凸構造を有する、請求項４に記載のタンデム太陽電池。
【請求項６】前記結晶シリコン基板の第２面に配置された第２のパッシ
ベーション層をさらに有する、請求項２に記載のタンデム太陽電池。
【請求項７】前記第２電極は、前記第２のパッシベーション層を貫通して
前記後面電界層と電気的に連結される、請求項６に記載のタンデム太陽電
池。
【請求項８】前記第１のパッシベーションパターンは、１０～１００ｎｍ
の厚さを有する、請求項１に記載のタンデム太陽電池。
【請求項９】前記第２電極は、ガラスフリット及び焼成貫通用無機添加物
を有し、前記第１電極は、ガラスフリットを有しない、請求項１に記載の
タンデム太陽電池。【請求項１０】前記結晶シリコン基板は、第１面及
び第２面のうち少なくとも一つに配置されたテクスチャリングパターンを
有する、請求項１に記載のタンデム太陽電池。
【請求項１１】前記ペロブスカイト太陽電池は、前記電子伝達層とペロ
ブスカイト吸収層との間に配置されたメソポーラス層をさらに有する、請
求項３に記載のタンデム太陽電池。
【請求項１２】結晶シリコン基板の第１面にエミッタ層を形成する段階と、
前記エミッタ層上に第１のパッシベーション層を形成する段階と、前記結
晶シリコン基板の第２面に第２電極を形成する段階と、前記第１のパッシ
ベーション層の一部をエッチングして、前記エミッタ層の一部を露出する
開口部を有するようにパターニングされた第１のパッシベーションパター
ンを有するシリコン太陽電池を形成する段階と、前記開口部を通じて露出
するエミッタ層上及び第１のパッシベーションパターン上に接合層を形成
する段階と、前記接合層上にペロブスカイト吸収層を有するペロブスカイ
ト太陽電池を形成する段階と、前記ペロブスカイト太陽電池上に第１電極
を形成する段階と、を有する、タンデム太陽電池の製造方法。
【請求項１３】前記エミッタ層を形成する段階において、前記結晶シリコ
ン基板の第２面に後面電界層をさらに形成し、前記第１のパッシベーショ
ン層を形成する段階において、前記後面電界層上に第２のパッシベーション
層をさらに形成する段階を有する、請求項１２に記載のタンデム太陽電池
の製造方法。
【請求項１４】前記第２電極は、前記第２のパッシベーション層上に塗布
されて、第１温度を有する熱処理により前記第２のパッシベーション層を
貫通して、前記後面電界層に連結される、請求項１３に記載のタンデム太
陽電池の製造方法。
【請求項１５】前記エミッタ層を形成する段階の前に、前記結晶シリコン
基板の第１面及び第２面を平坦化した後、前記第１面及び第２面のうち少
なくとも一つをテクスチャリングして、テクスチャリングパターンを形成
する段階をさらに有する、請求項１２に記載のタンデム太陽電池の製造方
法。
【請求項１６】前記第１のパッシベーション層は、１０～１００ｎｍの
厚さに形成される、請求項１２に記載のタンデム太陽電池の製造方法。
【請求項１７】前記第２電極の熱処理温度は７００℃以上であり、前記
第１電極の熱処理温度は２５０℃以下である、請求項１２に記載のタンデ
ム太陽電池の製造方法。
【請求項１８】前記第２電極は、ガラスフリット及び焼成貫通用無機添
加物を有する電極ペーストを用い、前記第１電極は、ガラスフリットを有
しない電極ペーストを用いる、請求項１２に記載のタンデム太陽電池の製
造方法。
【請求項１９】前記ペロブスカイト太陽電池を形成する段階は、前記接
合層上に電子伝達層を形成する段階と、前記電子伝達層上に前記ペロブス
カイト吸収層を形成する段階と、前記ペロブスカイト吸収層上に正孔伝達
層を形成する段階と、を有する、請求項１２に記載のタンデム太陽電池の
製造方法。
✔　性能向上の課題はあるだろうが、量産化及び使途拡大などあるが、こ
　こから一気に国内販売優先で公用・商用が政府支指導・助成政策実行の
　もと垂直立ち上げ実用段階へ突入する。いずれにしても持続可能な生産
　活動に待ったなしである。

風蕭々と碧いの時