彦根藩二代当主である井伊直孝公をお寺の門前で手招き雷雨から救ったと
伝えられる招と、井伊軍団のシンボルとも言える赤備え（戦国時代の井伊
軍団編成の一種、あらゆる武具を朱りにした部隊編成のこと）と兜（かぶ
と）を合体させて生まれたキャラクタ－。
【季語と短歌：11月11日】
秋雨や敷石濡らす青紅葉 
高山 宇 （赤鬼）
【特版：ウイルス解体新書】
◾米国はなぜ日本より豊かなのか？コロナワクチン開発の速さを見れば納
得するしかない。（ダイヤモンド・オンライン）
コロナワクチン開発で示されたアメリカの「強さ」の理由は、世界各国か
ら優秀な人材を受け入れ、能力を発揮できる機会を与えてきたことにある。
その背景のひとつに、ナチの劣等民族根絶政策を受け、優れた科学者がド
イツや近隣諸国から逃げ出した過去があったと野口悠紀雄『アメリカはな
ぜ日本より豊かなのか？』（幻冬舎新書）は書く。
-----------------------------------------------------------------------------------
アメリカと日本の国力の差は、縮まるどころか広がる一方だ。いまや一人
当たりＧＤＰでは２倍以上の差が開き、専門家の報酬はアメリカが７．５
倍高いことも。国民の能力に差はないのに、国の豊かさとなると、なぜ雲
泥の差が生じるのか？その理由は「世界各国から優秀な人材を受け入れ、
能力を発揮できる機会を与えているかどうかだ」と著者は言う。実際、大
手ＩＴ企業の創業者には移民や移民２世が多く、２０１１年以降にアメリ
カで創設された企業の３分の１は移民によるものだ。日本が豊かさを取り
戻すためのヒントが満載の一冊。（ダイヤモンドオンライン）
第１章 日米給与のあまりの格差
第２章 先端分野はアメリカが独占、日本の産業は古いまま
第３章 円安に安住して衰退した日本
第４章 春闘では解決できない。金融正常化が必要
第５章 アメリカの強さの源泉は「異質」の容認
第６章 強権化を進める中国
第７章 トランプはアメリカの強さを捨て去ろうとする
【著者が略歴】野口悠紀雄 １９４０年、東京に生まれる。６３年、東京
大学工学部卒業。６４年、大蔵省入省。７２年、エール大学Ｐｈ．Ｄ．
（経済学博士号）。一橋大学教授、東京大学教授（先端経済工学研究セン
ター長）、スタンフォード大学客員教授、早稲田大学大学院ファイナンス
研究科教授などを経て、一橋大学名誉教授。専攻は日本経済論。近著に『
日本が先進国から脱落する日』（プレジデント社、岡倉天心賞）ほか多数
----------------------------------------------------------------------------------
2019年に発生した新型コロナウイルス感染症は、COVID-19の正式名称で
呼ばれ、SARSコロナウイルス2[注釈 1]がヒトに感染することによって発症
する気道感染症（ウイルス性の広義の感冒の一種）である。2020年に入っ
てから世界中で感染が拡大し、2022年8月までに感染者数は累計6億人を超
え]、世界的流行（パンデミック）をもたらした。2023年5月5日、世界保健
機関（WHO）は、ワクチン普及や治療法の確立によって新規感染者数や死
者数が減少していることを踏まえ、2020年1月30日に宣言した「国際的に
懸念される公衆衛生上の緊急事態（PHEIC）」を終了すると発表した。緊
急事態宣言に法的強制力はないが、各国に対して防疫体制の強化などを勧
告するものであり、緊急事態宣言が解除されたことで各国がウイルスへの
警戒度を下げた上で対策を緩和することとなる。
2020年5月、アメリカのトランプ大統領は、2021年1月までに有効で安全
な新型コロナワクチンを開発する計画を発表した。これは「ワープ・スピ
ード作戦（Operation Warp Speed）」と命名された（「ワープ・スピード
」とは、映画「スター・ウォーズ」シリーズに登場する言葉で、「光速を
超えたスピード」の意味）。12月2日に、アメリカのファイザーがバイオテ
クノロジー企業ビオンテック（ドイツ・マインツ）と共同開発したワクチ
ンが、臨床試験の完了した最初の新型コロナワクチンとして、イギリスで
緊急使用の承認を受けた。（Wikipedia）
◾短期間で開発できた理由
⓵先行研究が進んでいた、②効率的な製造工程が考案された、⓷大な財政
的支援に複数の治験を並行し進められた、④規制当局が通常より迅速に審
査を行なった。
ニューアメリカン経済研究基金が2019年7月22日に公表したレポートによ
れば、移民がアメリカの総人口に占める割合はわずか14％であるにもかか
わらず、移民が創立した企業は、フォーチュン500企業のうち101社、移民
を親に持つ2世が立ち上げた企業が122社あった。また、2011年以降にアメ
リカで創設された企業のおよそ3分の1は、移民が立ち上げた企業だった（
ニューズウィーク、2019年7月23日）。
2020年11月に、いくつかのワクチン開発元が大規模試験での優れた成績を
発表。それ以外にも多くの有望なワクチン候補が登場。12月2日に、アメリ
カのファイザーがバイオテクノロジー企業ビオンテック（ドイツ・マイン
ツ）と共同開発したワクチンが、臨床試験の完了した最初の新型コロナワ
クチンとして、イギリスで緊急使用の承認を受けた。12月から、アメリカ
やヨーロッパなどの多くの国が、ファイザーとモデルナのmRNA（メッセ
ンジャーRNA）ワクチンを承認し、接種を開始した（モデルナもアメリカ
企業）。また、イギリスのアストラゼネカのベクターワクチンも、イギリ
スなどが承認した。これによって世界の多くの人がコロナの病魔から救わ
れた。⓵移民による研究者・企業の力、②AI（人工知能）の力の貢献が大
きい。したがって⓷米国の「開かれた社会風土」が大きい。それに比して
の日本は「閉塞した社会風土」が開発力に差がついたと言う。
※手前味噌だが、わたしは、「開けている」と自負しているが（自由放任
は子供たちには悪いと反省している）。 この項了
⬛ 日本のイワシがアメリカ西海岸で初めて発見
アメリカ海洋大気庁(NOAA)漁業局が、アメリカの西海岸沿いにあるカリ
フォルニア海流生態系において、これまで存在が確認されていなかった日
いる本のマイワシ(Sardinops melanosticta)を発見。カリフォルニアマイ
ワシ(Sardinops sagax)の集団遺伝構造を調べる目的で研究を始めたが、ゲ
ノム解析の過程で予想外の強い遺伝的分化が見られ、詳しい分析の結果、
日本のマイワシの存在が判明された。日本のマイワシとカリフォルニアマ
イワシは外見こそほぼ同じですが、NOAAの研究チームは最新のゲノムシ
ーケンス技術を活用し、数百万の遺伝マーカーとミトコンドリアゲノムの
完全配列を用いて、両種が遺伝的に異なる別種であることを確認している。
研究チームによると、日本のマイワシとカリフォルニアマイワシは約20万
～30万年前に分化したと推定されるとのこと。この時期は氷河期と重なっ
ており、北太平洋の寒冷化が両種を地理的に隔離し、種分化を促進したと
考えられている。研究チームは、日本のマイワシがカリフォルニア海流生
態系でみられるようになった原因について、過去10年間に北太平洋で観測
された異常な海洋熱波の影響で、日本のマイワシの移動を可能にする好適
な環境条件の回廊が形成された可能性を指摘する。
【掲載論文】Molecular Ecology | Molecular Genetics Journal |
Wiley Online Library
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1111/mec.17561
⬛ TSMCが中国の全顧客に対し7nmプロセス以下のAIチップの供給停止
11月9日、台湾の半導体製造メーカー・TSMCが、中国本土のAIチップの全
顧客に対して「2024年11月11日(月)以降は7nmプロセスルール以下の高度
なチップを供給しない」と通告した。アメリカは中国への高度な半導体製
造技術や製品の輸出を制限していて、自国企業だけではなく「アメリカ製
の技術を用いて製造された品の外国企業による輸出」も対象としている。
しかし2024年10月、半導体に関する調査を行っているTechinsightの分析に
より、中国企業・HuaweiのAIチップ内にTSMCの製造した半導体が含まれ
ていることがわかっている。TSMCは「輸出規制のかかった2020年9月以降
、Huaweiに製品を供給していない」と反論し、Huaweiも「規制以来、TS
MCには製造を依頼していない」とコメント。のちに、中国のチップメーカ
SOPHGOの仲介によるものだったことが判明し、TSMCはSOPHGOへの製
品供給をただちに停止している。（ホワイトグローブ事件(White Glove
Incident)）
【関連記事】台积电断供的更多细节：部分Wafer销毁，未来或需申请许可
流片 https://jiweipreview.laoyaoba.com/n/922301
⬛ 失速｢EV｣相次ぐ火災事故で広がる不信の連鎖⓶
ここ数年、世界で急速に普及が進んだEV（電気自動車）。足元では欧米を
中心にその勢いに陰りが見え始めている。さらに火災事故が相次いでいる
ことで安全性に懸念が広がっている。これを受け、「リチウム二次電池の
高品位化」の課題解決法を考察する。（今回はシリーズの第2回目）
◾リチウムイオン電池保護IC
リチウムイオン電池保護ICは電池を安全に使うために必要不可欠なIC。
そこで、ミツミ電機株式会社のリチウムイオン電池保護ICを参考事例とし
特許事例を考察。同社は1セルから多セル用まで幅広いラインナップを揃
え、電池残量計ICは、残量予測の高精度、劣化判定機能により電池を安全
かつ有効に利用できます。リチウムイオン電池関連ICは主にグループ内で
内製しており、コスト対応力、納期スピード、高い品質管理のもと生産。
セル用までラインアップ。携帯機器から電動自転車まで幅広い機器
に対応。 高い検出精度と豊富な機能を備え電池の安全な充電と保護を可能に
し。その他、電圧モニターIC、電池残量計IC、充電制御ICなどを提
供している。
主要製品を内製対象は、電池1セルで使用されているスマートフォン、タブ
レット、スマートウオッチ、デジタルカメラなどに使用されており、安全
に使用できる点で貢献。リチウムイオン1セル電池のシェアはTOPクラス。
リチウムイオン電池多セル保護IC主要製品を内製本ICは電池が複数セルで
使用されているノートPC、電動工具、デジタル一眼レフカメラなどに使用
されており、安全に使用できる点で貢献していという。
◾特開2007-299696 二次電池装置 三洋電機株式会社
【要約】下図1のごとく、二次電池に対する充電路と放電路とを互いに独
立に設けると共に、上記二次電池に対する保護回路として、充電路に直列
に介挿されて溶断により該充電路を遮断する非復帰スイッチ（例えば内部
ヒータ付き温度ヒューズ）と、放電路に直列に介挿されて電気的に該放電
路を導通または遮断する半導体スイッチ（例えばＭＯＳ－ＦＥＴ）と、二
次電池の過放電を検出したときに前記半導体スイッチ素子を遮断制御する
と共に、前記二次電池の過充電および前記半導体スイッチ素子の異常の一
方を検出したときに前記非復帰スイッチを溶断するスイッチ制御回路とを
設け、二次電池の異常な過充電および過放電を防止すると共に、半導体ス
イッチ素子の故障時における不本意な継続使用を禁止してその安全性を確
保することのできる簡易な構成の二次電池装置を提供する。
また、電池残量計IC独自の高精度のアルゴリズムを確立本ICはスマートフ
ォン、タブレット、スマートウオッチなどに使用され、また電池残量計IC
は独自の残量アルゴリズムを持っており電池の残量状態を正確に知る点で
強い競争力を持つという
。
図1. 本発明の一実施形態に係る二次電池装置の概略構成図
【符号の説明】 １ 二次電池 ２ 電池セル ３ 充電路 ４ 充電端子 ５
放電路 ６ 放電端子 ８ 共通端子 １１ 非復帰スイッチ １２ 半導体ス
イッチ素子 １３ 温度センサ １４ 温度検出部（スイッチ制御回路）
１５ 電圧検出部（スイッチ制御回路） １６ オア回路（スイッチ制御回
路） １７ スイッチ素子 １８ シャント抵抗
【特許請求の範囲】
【請求項１】二次電池と、この二次電池を過充電および過放電からそれぞ
れ保護する保護回路とを備えた二次電池装置であって、該二次電池装置は、
前記二次電池に対する充電路と放電路とを互いに独立に備え、前記保護回
路は、前記充電路に直列に介挿されて溶断により該充電路を遮断する非復
帰スイッチと、前記放電路に直列に介挿されて電気的に該放電路を導通ま
たは遮断する半導体スイッチと、前記二次電池の過放電を検出したときに
前記半導体スイッチ素子を遮断制御すると共に、前記二次電池装置の異常
を検出したときに前記非復帰スイッチを溶断するスイッチ制御回路とを具
備したことを特徴とする二次電池装置。
【請求項２】 前記二次電池装置の異常は、前記半導体スイッチ素子の異常
であって、前記半導体スイッチ素子に設けた温度センサを用いて求められ
る該半導体スイッチ素子の発熱温度を判定して検出されるものである請求
項１に記載の二次電池装置。
【請求項３】請求項１または２に記載の二次電池装置であって、その外部
接続端子として前記二次電池の一方の電極に前記充電路を介して接続され
た充電端子、前記二次電池の上記一方の電極に前記放電路に介して接続さ
れて上記充電端子とは独立に設けられた放電端子、および前記二次電池の
他方の電極に接続されて前記充電端子および放電端子とそれぞれ対をなす
共通端子だけを備えたことを特徴とする二次電池装置。
◾特開2024-122043 二次電池保護集積回路、電池保護回路及びバッテリ
装置 ミツミ電機株式会社
【要約】下図１のごとく、二次電池に接続される電流経路に設けられるト
ランジスタを制御することで、前記二次電池を保護する二次電池保護集積
回路であって、前記トランジスタのゲートに接続される制御端子と、前記
トランジスタの異常を検知する異常検知回路と、前記異常が前記異常検知
回路により検知された場合、前記制御端子の電位を前記トランジスタがオ
フになるレベルに切り替える制御回路と、を備える、二次電池保護集積回
路。
図1. 二次電池保護集積回路を含むシステムの一例を示す回路ブロック図
【符号の説明】２５ シャント抵抗 １００，１０１，１０２，１０３，
１０４ 保護ＩＣ ２０１ 電源線 ２０２ 接地線 ２０３ スイッチ回路
２１０ 二次電池 ２１１ 正極 ２１２ 負極 ２２１ 制御回路 ２２２
検出回路 ２２３ 異常検知回路 ２２４ ロジック回路 ２２５ タイマ回路
２２６ チャージポンプ回路 ２２７，２２８ 論理積回路 ２２９ コンパ
レータ ３００ 電子機器 ４００，４０１，４０２，４０３，４０４ バッ
テリ装置 ５００，５０１，５０２，５０３，５０４ システム ６００，
６０１，６０２，６０３，６０４ 電池保護回路 ＴＲ１ 充電制御トラン
ジスタ ＴＲ２ 放電制御トランジスタ
【発明の効果】
本開示によれば、二次電池に接続される電流経路に設けられるトランジ
スタの異常に対して保護機能を向上させることができる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】 二次電池に接続される電流経路に設けられるトランジスタを
制御することで、前記二次電池を保護する二次電池保護集積回路であって、
前記トランジスタのゲートに接続される制御端子と、
前記トランジスタの異常を検知する異常検知回路と、
前記異常が前記異常検知回路により検知された場合、前記制御端子の電
位を前記トランジスタがオフになるレベルに切り替える制御回路と、を備
える、二次電池保護集積回路。
【請求項２】前記異常検知回路は、前記制御端子に流れる電流の増加を検
出することで、前記トランジスタの異常を検知する、請求項１に記載の二
次電池保護集積回路。
【請求項３】前記制御端子の電位は、前記制御端子に流れる電流の変化に
伴って変化し、前記異常検知回路は、前記制御端子の電位の低下を検出す
ることで、前記制御端子に流れる電流の増加を検出する、請求項２に記載
の二次電池保護集積回路。
【請求項４】前記制御回路に流れる電流は、前記制御端子に流れる電流の
変化に伴って変化し、前記異常検知回路は、前記制御回路に流れる電流の
増加を検出することで、前記制御端子に流れる電流の増加を検知する、請
求項２に記載の二次電池保護集積回路。
【請求項５】前記異常検知回路は、前記トランジスタのゲート－ソース間
の異常を検知する、請求項２に記載の二次電池保護集積回路。
【請求項６】前記制御回路は、前記制御端子に流れる所定電流値以上の電
流が所定時間以上継続して検知された場合、前記制御端子の電位を前記ト
ランジスタがオフになるレベルに切り替える、請求項２から５のいずれか
一項に記載の二次電池保護集積回路。
【請求項７】前記二次電池の異常充電又は異常放電を検出する検出回路を
備え、前記制御回路は、前記異常充電又は前記異常放電が前記検出回路に
より検出されていて、且つ、前記トランジスタの異常が前記異常検知回路
により検知されている場合、前記制御端子の電位を前記トランジスタがオ
フになるレベルに低下させるとともに、前記異常検知回路による前記トラ
ンジスタの異常検知を無効とする、請求項２から５のいずれか一項に記載
の二次電池保護集積回路。
【請求項８】前記制御回路は、前記異常検知回路による前記トランジスタ
の異常検知を無効とされた場合、前記トランジスタの異常検知を表す信号
を前記二次電池保護集積回路の外部へ出力しない、請求項７に記載の二次
電池保護集積回路。
【請求項９】前記二次電池の異常充電又は異常放電を検出する検出回路を
備え、前記制御回路は、前記異常充電又は前記異常放電が前記検出回路に
より検出されている場合、前記トランジスタの異常検知を表す信号を前記
二次電池保護集積回路の外部へ出力せずに、前記制御端子の電位を前記ト
ランジスタがオフになるレベルに低下させ、前記異常充電又は前記異常放
電が前記検出回路により検出されていなく、且つ、前記トランジスタの異
常が前記異常検知回路により検知されている場合、前記トランジスタの異
常検知を表す信号を前記二次電池保護集積回路の外部へ出力する、請求項
２から５のいずれか一項に記載の二次電池保護集積回路。
【請求項１０】前記二次電池の異常充電を検出する異常充電検出回路を備
え、前記トランジスタは、前記二次電池に接続される充電経路に設けられ
る充電制御トランジスタと、前記二次電池に接続される放電経路に設けら
れる放電制御トランジスタと、を含み、前記制御端子は、前記充電制御ト
ランジスタのゲートが接続される充電制御端子と、前記放電制御トランジ
スタのゲートが接続される放電制御端子と、を含み、前記制御回路は、前
記異常充電が前記異常充電検出回路により検出されている場合、前記充電
制御端子の電位を前記充電制御トランジスタがオフになるレベルに切り替
え、前記放電制御トランジスタの異常が前記異常検知回路により検知され
ている場合、前記放電制御端子の電位を前記放電制御トランジスタがオフ
になるレベルに切り替える、請求項２から５のいずれか一項に記載の二次
電池保護集積回路。
【請求項１１】前記二次電池の異常放電を検出する異常放電検出回路を備
え、前記トランジスタは、前記二次電池に接続される充電経路に設けられ
る充電制御トランジスタと、前記二次電池に接続される放電経路に設けら
れる放電制御トランジスタと、を含み、前記制御端子は、前記充電制御ト
ランジスタのゲートが接続される充電制御端子と、前記放電制御トランジ
スタのゲートが接続される放電制御端子と、を含み、
前記制御回路は、
前記異常放電が前記異常放電検出回路により検出されている場合、前記
放電制御端子の電位を前記放電制御トランジスタがオフになるレベルに切
り替え、前記充電制御トランジスタの異常が前記異常検知回路により検知
されている場合、前記充電制御端子の電位を前記充電制御トランジスタが
オフになるレベルに切り替える、請求項２から５のいずれか一項に記載の
二次電池保護集積回路。
【請求項１２】前記トランジスタに対して前記二次電池とは反対側で前記
電流経路に接続される検出端子を備え、前記異常検知回路は、前記検出端
子の電位の変化を検出することで、前記トランジスタの異常を検知する、
請求項１から５のいずれか一項に記載の二次電池保護集積回路。
【請求項１３】前記異常検知回路は、前記トランジスタがオンになるレベ
ルの電位が前記制御端子において検出されていて、且つ、前記検出端子の
電位が第１閾値よりも高く検出されている場合、前記トランジスタの異常
と検知する、請求項１２に記載の二次電池保護集積回路。
【請求項１４】前記異常検知回路は、前記トランジスタのソース－ドレイ
ン間のオープンを検知する、請求項１３に記載の二次電池保護集積回路。
【請求項１５】前記制御回路は、前記トランジスタがオンになるレベルの
電位が前記制御端子において検出されている状態と、前記検出端子の電位
が前記第１閾値よりも高く検出されている状態とが、所定時間以上継続し
て検知された場合、前記トランジスタの異常検知を表す信号を前記二次電
池保護集積回路の外部へ出力する、請求項１３に記載の二次電池保護集積
回路。
【請求項１６】前記異常検知回路は、前記トランジスタがオフになるレベ
ルの電位が前記制御端子において検出されていて、且つ、前記検出端子の
電位が第２閾値よりも低く検出されている場合、前記トランジスタの異常
と検知する、請求項１２に記載の二次電池保護集積回路。
【請求項１７】前記異常検知回路は、前記トランジスタのソース－ドレイ
ン間のショートを検知する、請求項１６に記載の二次電池保護集積回路。
【請求項１８】前記制御回路は、前記トランジスタがオフになるレベルの
電位が前記制御端子において検出されている状態と、前記検出端子の電位
が前記第２閾値よりも低く検出されている状態とが、所定時間以上継続し
て検知された場合、前記トランジスタの異常検知を表す信号を前記二次電
池保護集積回路の外部へ出力する、請求項１６に記載の二次電池保護集積
回路。
【請求項１９】請求項１から５のいずれか一項に記載の二次電池保護集積
回路及び前記トランジスタを備える、電池保護回路。
【請求項２０】請求項１から５のいずれか一項に記載の二次電池保護集積
回路、前記トランジスタ及び前記二次電池を備えるバッテリ装置。
以上、異常を検出し回路を溶断する二次電池保護集積回路、前記トランジ
スタ及び前記二次電池を備えるバッテリ装置の構造とその信頼性を担保す
る機器の考察の考察の一助とするとともに、「発電と充電」の「分散化」
と「ダウンサイジング」も進展していくと考える。次回は、電池の材料・
システム・構造の「安全・信頼性、高品位化」を第一回に続き考察を続け
る予定。
今日の楽曲 『BAR MUSIC 高級ジャズで優しい時間を』
● 今日の言葉：言葉を失うほどの脳疲労だ。 