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最新ナノグラフェン電子工学

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       私の知っている最大の楽しみは、こっそり善い
               行ないをして、偶然それが発見されることである。

                                              チャールズ・ラム

                             Wikipedia
                                         10 Feb 1775 – 27 Dec 1834

                          The greatest Pleasure l know is to do a good action 
                           by  stealth,and to haveit nJund out by accident,

                                                                                         Charles  Lamb

                     ※  by stealch  「こっそり」と by accident  「偶然に」とが対照的に
           have  it  found out  「それ(善い行い)を発見される)」
 

 

● 折々の読書  『China 2049』 Ⅵ


                秘密裏に遂行される「世界覇権100年戦略」     

                                     マイケル・ピルズベリー 著
                                  野中香方子 訳  

ニクソン政権からオバマ政権にいたるまで、米国の対中政策の中心的な立場にいた著者マイケ
ル・ピルズベリーが、自分も今まで中国の巧みな情報戦略に騙されつづけてきたと認めたうえ
で、中国の知られざる秘密戦略「100年マラソン(The Hundred-Year Marathon) 」の全貌を描い
たもの。日本に関する言及も随所にあり、これからの数十年先の世界情勢、日中関係、そして
ビジネスや日常生活を見通すうえで、職種や年齢を問わず興味をそそる内容となっている。  

  【目次】   

 序 章 希望的観測
 第1章 中国の夢
 第2章 争う国々
 第3章 アプローチしたのは中国
 第4章 ミスター・ホワイトとミズ・グリーン
 第5章 アメリカという巨大な悪魔
 第6章 中国のメッセージポリス
 第7章 殺手鍋(シャショウジィエン)
 第8章 資本主義者の欺瞞
 第9章 2049年の中国の世界秩序
 第10章 威嚇射撃
 第11章 戦国としてのアメリカ
 謝 辞
 解 説 ピルズベリー博士の警告を日本はどう受け止めるべきか
     森本敏(拓殖大学特任教授・元防衛大臣)    

  第2章 争う国々

   マラソン戦略の重要な要素の多くは、タカ派の軍人によって構築されてきた。共産
 党政権以前の1920年頃までの政軍関係を受け継ぎ、中国では軍部の高官は、非軍
 事的な戦略に関しても重要な役割を果たすことを期待されている。アメリカで、言え
 ば、家族計画や税制や経済政策といった、本来、文民指導者が管轄すべき問題を、国
 防総省の将官が管轄しているようなものだ。さらに、アメリカから最高絨別所と独立
 した司法府がなくなったと想像すれば、アメリカの軍部のリーダーの比較的限られた
 権限と、1940年以来の中国の軍部のリーダーの、きわめて広範に及ぶ権限との違
 いがいくらかは理解できるだろう。

  現代中国の最初の外務大臣は、軍の将官だった さらに、キッシンジヤーの回想録
 は、アメリカと国交を結ぶことを決めたのが文民指導者ではなく、4人の将官からな
 る委員会だったことを語る(注6)。1979年にI人っ子政策の導入を牽引したの
 は、武器設計者だった。1980年に、マラソン戦略における進歩を測る尺度を開発
 したのは、人民解放軍のトップ研究機関である軍事科学院出身の軍事研究家だった。
 また、大規模な戦略をテーマとする、その名も『論大戦略-和世界戦争史(大戦略論                               
 と世界の戦争史)』という有名な本を書いたのは、軍事科学院出身の作家だった(注
 7)。エネルギー資源を管理するための戦略を間発したのも将官である。さらに19
 86年には、長期的な軍事科学と軍事技術の計画が、ナショナリストでタカ派の核兵
 器科学者チームによって進められた(注8)。 

注6.Kissinger,On China, 2001.
注7.Wu Chunqui, On Grand Strategy (Beijing: Current Affairs Press, 2000).
注8.文官の戦略立案への軍人の関与について、詳細は次を参照。Evan A. Fcigenbaum,
     Gudian Mingraph, 253 and 300 (Cambrige, MA 2007); David Schaberg, A Patterned Past;
     From and Thought in Early Chinese Historiography, Harvard East Asian Monograghs 205
            (Cambridge, MA, 2001), 60; amd James Legge, "The Ch'un T'sew with the Tso Chuen," in
            The Chinese, 2nd ed. (Oxford; Clarendon, 1895), V, 293.

  1970年当時、アメリカ政府のほかの中国専門家と同様に、わたしは以上のこと
 をまったく知らなかった。その年の6月、わたしは、博士号を持つアメリカ人の中か
 ら、台湾国立大学で標準中国語の特訓を受ける候補者のひとりに選ばれた。わたしに
 とってそれは、中国の文化と歴史を体験する初めての機会となった。台湾では2年に
 わたって中国文化にどっぷり浸った。台湾入の家にホームステイし、大学では終日、
 狭い部屋で授業を受けた。教師は4人で、次々に交替した。教科書は、一連の中国史
 の古典で、今でも中国の学生たちはそれを教科書として用いている。語学のテキスト
 にしたそれらの書物に記された諺や物語は、中国人の世界観の土台となったものであ
 り、わたしにとっては、中国の思考、歴史、世界観を垣間見る窓を提供してくれた。

  「鼎の軽重を間うな」という教えは、中国ではよく知られる。これはつまり、十分な
 カを備え、敵に対峙できるようになるまでは、自分が敵であることを悟られてはいけ
 ない、ということだ,国際レベルで言えば、力をつけつつある国は、覇権国にそれを
 悟られないようにしなければならない、ということになる。鼎の大小、軽重を尋ねた
 のは、楚王にとって、戦略上の迂閉な過ちだった。

                               この項つづく

   Darth Vader 

 【最新ナノグラフェン電子工学】

 
● 史上最強?! 黒の太陽電池登場

先回の『史上最強?! 黒の太陽電池登場』(「最新ナノ電子工学 2016:最新高効率太陽電
池」2016.02.06)では、グラフェンベースの多接合太陽電池を紹介。これらの利点は、(1)
半導体グラフェンには、シリコンのような間接バンドギャップ材料に比べ非常に薄い領域で、
(2)より多くの光子を吸収し直接バンドギャップ形成でき、(3)グラフェンの電子と正孔
のキャリア移動度はシリコンや他の材料より2桁程度高い。(4)従って、グラフェン系太陽
電池の内部抵抗は、半導体太陽電池のなかで遙かに小さく、(5)希少ななインジウムとテル
ルとは異なり。炭素が豊富であり、高純度のグラフェンを製造するコストは、結晶シリコンの
製造コストと同等もしくは(量産化によりコストが逓減で)それ以下になると期待できると掲
載。今回は、半導体デバイスの製造法の富士通株式会社の特許「特許5772299 半導体デバイス
及びその製造方法」を掲載する。

従来、トランジスタのチャネル材料として、シリコンカーバイドやガリウムナイトライドのよ
うな材料が用いられてきたが、性能向上を目的とした微細化は限界に近づきつつある。また、
透明性、フレキシブル性などの多くの要求に応えるのも難しい。そこで、代替材料の一つとし
て、グラフェンが注目されている。例えば、トランジスタのチャネル材料としてグラフェンを
用いることが提案され、例えば、トランジスタのソース電極、ドレイン電極、ゲート電極とチ
ャネルの全ての材料としてグラフェンを用いることも提案されているが、トランジスタのチャ
ネル材料としてグラフェンを用いる場合、グラフェンのバンドギャップが非常に小さいことを
考慮すると、例えば電力変換機器や電源装置等に用いられる高耐圧デバイスを実現するのは難
しい。また、例えば太陽光発電装置において用いられる発光・受光デバイスとして、紫外発光・
受光デバイスが有用であると考えられている。

   Jun 25, 2013

ハニカムグラフェンシート7.8%変換効率 

しかし、例えばpn接合型発光・受光デバイスのp型半導体層及びn型半導体層にグラフェン
を用いる場合、グラフェンのバンドギャップを制御したとしても、紫外発光・受光デバイスを
実現するのは難しい。本件の半導体デバイスは、2次元構造のグラフェン電極と、この電極の
端に結合した2次元構造のボロンナイトライド半導体層とを備えている。さらにこのデバイス
の製造方法は、2次元構造のグラフェン電極を形成し、この電極の端に結合するように2次元
構造のボロンナイトライド半導体層を形成させるもの。  

 特許5772299
【符号の説明】

1 グラフェン  2 グラフェン電極(ソース電極、p側電極)  2A 突出部  2X ソース電極領域  3 グラ
フェン電極(ドレイン電極、n側電極)  3A 突出部  3X ドレイン電極領域 4 ボロンナイトライド  5 ボ
ロンナイトライド半導体層(チャネル、pn接合半導体層)  5A p型半導体層  5B n型半導体層  5X
チャネル領域  6 トランジスタ  7 基板(支持基板)  8 ゲート絶縁膜  9 ゲート電極  9A グラフェン
ゲート電極  9B 金属ゲート電極  9C トップゲート電極  9D グラフェンゲート電極  9E ゲート電極 
9X ゲート電極領域  10 シリコン基板(成長用基板)  11 触媒薄膜  12 支持膜  13 半導体デバ
イス  14 配線パターン(グラフェン配線)  15 支持基板  16 配線基板  17 絶縁膜  18 伝導体
層  19 基板(成長用基板)  20 ソース電極(グラフェン電極)  21 半導体デバイス  22 発光・受光
素子  23 支持部  30 ドレイン電極(グラフェン電極) 50 ボロンナイトライド半導体層(チャネル) 
60 トランジスタ  90 ゲート電極(グラフェン電極)

【図1】第1実施形態にかかる半導体デバイスの構成を示す模式的平面図であって、(A)は
その全体の構成を示しており、(B)はそれを部分的に拡大して示しており、(C)はチャネ
ルをさらに拡大して示しており、(D)は電極をさらに拡大して示している。【図3】(A)
~(I)は、第1実施形態にかかる半導体デバイスの製造方法を説明するための模式的断面図
である。

特許5772299

したがって、本半導体デバイス及びその製造方法によれば、グラフェンの特性を生かしつつ、
高耐圧デバイスを実現することができるという利点がある。また、グラフェンの特性を生かし
つつ、紫外発光・受光デバイスを実現することができるという利点があるというものだが、シ
リコンを将来駆逐するかの様相を見せる。これは「帝国の逆襲」ならぬ「新弥生の逆襲」?と
これは少々強引な喩えだが、手応え十分だろう。

   Aug 22, 2014
 グラフェンポリマー太陽電池用透明グラフェン電極

   Nanotechnology in Solar Cells

 



【ナショナルトラッキング構想に動き】

例のナショナルトレッキング構想の実現に向け、仲間づくりをはじめる。当面の名称は「NP
O ナショナルトレッキング 滋賀支部」(仮称)として、手始めに「彦根市民の飲み水を守る
会」の仲間に提案する予定でいる。早ければ、4月から5月の連休から現地調査に入る(その
超概要は上図参照クリック)。 

 

 

  

 


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