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襄公２１年（‐553）～定公４年（ -506） ／ 中原休戦の時代
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※ 反乱の成功：荘公が殺されると、臣下の中には、国外亡命の道をえらぶ者があ
らわれた。濾蒲癸（ろほうき）は晋へ、王何（おうか）は莒へ亡命した。さて、
話はさかのげるが、魯の叔孫宣伯が斉に亡命して来たとき（成公二八年）、斉
の公子叔孫還（しゅくそんせん）が、かれの娘を時の斉君霊公の夫人とした。
夫人は霊公の寵愛を受け男の子を生んだ。これが景公である。
丁丑の日、崔杼は景公を即位させ、自分は大臣の位につき、慶封（けいほう）
を左太良とし始祖太公望（たいこうぼう）をまつった廟で、国の重立った人々
と盟いを立てた。「崔杼・慶封にそ抒く特あらは天も照覧あれ」。晏子は自分
が盟いを立てる番になったとき、天を仰いで嘆息し、「君に忠をつくし、国家
のためにつくす人にしたがわぬ者あらは、天も照覧あれ……」。こう言って血
をすすり盟いを立てた。辛巳の日、景公は犬夫たち、及び斉に滞在中の莒（き
ょ）君と盟いをかわした。
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Sep. 25, 2012
【ロンドン－東京をシベリア鉄道が橋渡し】
９月７日、ロシアのイゴール・シュワヴロフ副大統領は、北朝鮮の核実験に対する緊張感に包まている
さなか、北海道からサハリン南部への道路と鉄道の併走路線建設にあたり日本のパートナーに真剣考え
提案していると語った（シベリアタイムス、2017.09.07）。それによると、新しい提案は、ロシア本土か
ら太平洋のサハリン島、そしてそこから日本の鉄道網とつながる北海道まで東方に行くことを望むもの
である。ところで、政治的背景は別にして、極寒で過酷な建設工事は難航が予想されるが、勇気ある挑
戦は未来への導のひとつとなるであろう。
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Sep. 7, 2017
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Sep. 7, 2017
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Russia offers a bridge across history to connect Tokyo to the Trans-Siberian railway
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No.63
【量子ドット工学講座 No.45】
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【ＺＷ倶楽部とＲＥ１００倶楽部の提携 Ⅸ】
今回は、最新グラフェン量子ドット電子デバイス及製造法を取り上げる。ところで、グラフェンおよび
グラフェン量子ドット自身は、光学、エレクトロニクス、および生物医学的用を含む、有用な材料とし
て多数の用途がある。典型的なsp 2炭素系材料のグラフェンは、２００４年に初めて分離された後、大
きな関心を集めている。グラフェン酸化物およびグラフェン量子ドットは、優れた物理的／化学的特性、
グラフェンおよびその誘導体、例えば、グラフェン酸化物）およびグラフェン量子ドット（GQD）は、
光学、電気化学、および生物医学的応用において大きな可能性を示す。その中でGQDの生物医学的応用
は、比較的新しいが、例えばバイオイメージング、バイオセンサー材料、および薬物送達の分野で急速
に成長している。これらのグラフェン量子ドットは、グラフェンと量子ドット（QD）の利点を組み合わ
せ、様々な疾患の有望な治療および診断ツールとなることが期待されている。
さらに、光電子デバイスは、光エネルギーを電気エネルギーまたは電気エネルギーを光エネルギーに変
換。このようなエネルギー変換効率を高めるために、光電子デバイスに量子ドットを用いる技術が開発
され、数ナノメートル（nm）の直径を有する半導体ナノ粒子である量子ドットは、量子閉じ込めなどの
量子力学的特性を示す。このような量子ドットは光励起源からの光によって励起状態に入る際に、その
エネルギーバンドギャップに対応するエネルギーを自律的に放出する。エネルギーバンドギャップは量
子ドットのサイズを調節することによって制御できるので、その電気的／光学的特性もまた制御できる。
さて、発光素子、光電変換素子等に量子ドットが適応する。
一方、量子ドット間のエネルギー移動が容易になるよう量子ドットを密集できる。光電子デバイスの電
気的／光学的特性は、量子ドット間のエネルギー移動効率の向上に伴い改善され、エネルギー移動効率
の向上に関する研究が進められている。しかし、量子ドットが密に配置されていても、エネルギー移動
のための接触面積が小さく、エネルギー移動効率が向上することはない。したがって、量子ドット間の
エネルギー移動効率を高める方法が必要とされている。
❏ US 9755093 B2：光電子デバイス - グラフェン量子ドット及びその製造方法
【概要】
まずは、グラフェン量子ドットをシリカナノ粒子に結合させてエネルギー移動効率を増加させるための
シリカナノ粒子とグラフェン量子ドットのハイブリッド構造を利用した光電子素子及びその製造方法の
特許公開技術を参考掲載する。
韓国の共栄大学の研究グループは、米国で「シリカナノ粒子 - ハイブリッド構造を利用した「光電子デ
バイス - グラフェン量子ドット及びその製造方法」（US9755093B2）を米国で特許公開。それによると、
下図のようなシリカナノ粒子とグラフェン量子ドットとのハイブリッド構造――光電子素子が、グラフ
ェン量子ドット（GQDs）をシリカナノ粒子（SNPs）の表面に結合させることでエネルギー移動効率を向
上させた光電子素子及びその製造方法である。
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Sep. 5, 2017
【特許請求範囲】
構造を有するエネルギー変換層と、エネルギー変換層の上部及び下部に形成された電極とを含む。 前記シリカナノ粒子は球形であり、前記グラフェン量子ドットは2次元平面形状を有し、前記球
形の表面に結合していることを特徴とする請求項1に記載の光電子デバイス。 前記シリカナノ粒子は、前記グラフェン量子ドットとの結合のために表面処理されていることを
特徴とする請求項1に記載の光電子素子。 基板上に第1電極を形成する段階と、前記第1電極上に第2電極を形成する段階と、前記第1電極上
のシリカナノ粒子（SNP）の表面に結合されたシリカナノ粒子（SNP）とグラフェン量子ドット
（GQD）とのハイブリッド構造を有するエネルギー変換層を形成する段階と、前記エネルギー変
換層上に第2電極を形成する段階とを含む。 前記エネルギー変換層を形成する段階は、前記シリカナノ粒子を製造する段階と、グラフェン量
子ドットを製造する。シリカナノ粒子を表面処理する工程;グラフェン量子ドットを表面処理さ
れたシリカナノ粒子に結合させることを含む。 前記表面処理ステップは、前記シリカナノ粒子にNH 2リガンドを吸着させて前記シリカナノ粒子
の表面を正に帯電させるステップと、NH 2リガンドが吸着されたシリカナノ粒子をHCl溶液と混
合するステップと、 HCl溶液を濾過してシリカナノ粒子を乾燥させる段階とを含む。 前記バインディングは、脱イオン水に浸漬されたグラフェン量子ドットと前記表面処理されたシ
リカナノ粒子とを混合し、前記アンモニウムイオン溶液と前記脱イオン水を混合した後、グラフ
ェン量子ドットを前記表面に結合させることを特徴とする請求項5に記載の方法。超音波処理器
を用いてシリカナノ粒子を除去する。
❏ US 9751766 B1：グラフェン量子ドットの一段階合成
【概要】
ここでは、南フロリダ大学の研究グループの最新グラフェン量子ドットの合成技術特許公開を掲載する。
さて、グラフェン量子ドットの合成のためにいくつかの方法が開発されているが、高エネルギーまたは
放射時間の必要性など、これらの方法にはまだ多くの欠点がある。これらの方法の出発材料は、まずグ
ラファイトから合成する必要がある酸化グラフェンであり、これらの方法は、収率の低いグラフェン量
子ドットを得るために長時間と複数の工程を要する。量子ドットを調製する方法は、MOCVD（金属有
機化学気相成長）またはMBE（分子線エピタキシー）のような気相成長プロセスを用いて試みられてい
る。中国特許出願第2013-10200476号では、フレーク状グラファイトを最初に粉砕してグラファイトナノ
粒子を製造し、低温で２０時間硝酸でグラファイトナノ粒子を酸化し、乾燥させ、次いで450℃に加熱し
グラフェン量子ドットを製造する方法を記載しているが、単分散および狭いサイズ分布を有する高収率
のグラフェン量子ドットを生成できない。したがって、グラフェン量子ドット、特に単分散サイズ分布
を有する小さなグラフェン量子ドットを製造する改良が必要である。
この方法は、単分散サイズ分布を有するグラフェン量子ドットが生成き、グラフェン量子ドットは、ワ
ンポット合成で、高温でグラフェン源と強酸化性混合物より生成。強酸化性混合物は、１種以上の過マ
ンガン酸塩および１種以上の酸化性酸を含む。典型的な過マンガン酸塩としては、過マンガン酸ナトリ
ウム、過マンガン酸カリウム、および過マンガン酸カルシウムが挙げられる。例示的な酸として、硝酸
および硫酸が挙げられる。グラフェン量子ドットは、約１nm〜２０nmの平均粒子サイズおよび単分散サ
イズ分布を有す。例えば、サイズ分布は、約１以下のスパンでありまたは約０.５以下の分散係数を有し、
グラフェン量子ドットの約４０％以上は、グラフェン量子ドットの平均粒径の±５nm以内の直径を有す。
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Sep. 5, 2017
【特許請求範囲】
わせて組み合わせを形成する工程と、 GQDの平均直径が２.０nm〜１０.０nmであり、グラフェン
源がグラファイト、カーボンブラック、およびこれらの混合物からなる群から選択される、請求
項１に記載の方法で、それらの組み合わせからなる。 前記酸化混合物が、過マンガン酸カリウム、過マンガン酸アンモニウム、過マンガン酸カルシウ
ム、過マンガン酸ナトリウムおよび過マンガン酸銀からなる群から選択される過マンガン酸塩を
含む、請求項1に記載の方法。 前記強酸化性混合物が、ペルオキソ二硫酸ナトリウム、過硫酸ナトリウム、ペルオキシ二硫酸カ
リウム、および過硫酸アンモニウムからなる群から選択される過硫酸塩を含む、請求項１に記載
の方法。 前記強酸化性混合物が、硝酸、過塩素酸、塩素酸、クロム酸、および硫酸からなる群から選択さ
れる酸化性酸を含む、請求項1に記載の方法。 前記酸化混合物が、少なくとも1種の過マンガン酸塩および少なくとも1種の酸化性酸を含む、請
求項1に記載の方法。 前記酸化混合物が、過マンガン酸カリウム、硝酸、および硫酸を含む、請求項1に記載の方法。 前記高温が１００℃～２００℃である請求項１に記載の方法。 前記GQDが単分散粒子分布を有する、請求項１に記載の方法。加熱が２時間以下の時間である請
求項１に記載の方法 前記加熱が2時間以下の時間である、請求項1に記載の方法。 前記強酸化性混合物が、1.0V～2.5Vの間の標準電極電位を有する１つ以上の酸化剤を含む、請求
項１に記載の方法。 グラフェン量子ドット（GQD）の製造方法であって、グラフェン源と強酸化性混合物とを組み合
わせて組み合わせを形成するステップと、 GQDが単分散粒子分布を有し、グラフェン源が、グラ
ファイト、カーボンブラック、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１
に記載の方法。 前記酸化混合物が、過マンガン酸カリウム、過マンガン酸アンモニウム、過マンガン酸カルシウ
ム、過マンガン酸ナトリウムおよび過マンガン酸銀からなる群から選択される過マンガン酸塩を
含む、請求項１１に記載の方法。 前記強酸化性混合物が、ペルオキソ硫酸ナトリウム、過硫酸ナトリウム、ペルオキシモノ硫酸カ
リウムおよび過硫酸アンモニウムからなる群から選択される過硫酸塩を含む、請求項１１に記載
の方法。 前記強酸化性混合物が、硝酸、過塩素酸、塩素酸、クロム酸、および硫酸からなる群から選択さ
れる酸化性酸を含む、請求項１１に記載の方法。 前記酸化混合物が、少なくとも１種の過マンガン酸塩および少なくとも１種の酸化性酸を含む、
請求項１１に記載の方法。 前記酸化混合物が、過マンガン酸カリウム、硝酸、および硫酸を含む、請求項１１に記載の方法。 前記上昇した温度は１００℃～２００℃である、請求項１１に記載の方法。 加熱が２時間以下の時間である、請求項１１に記載の方法。 前記強酸化性混合物が、1.0V～2.5Vとの間の標準電極電位を有する１つ以上の酸化剤を含む、請
求項１１に記載の方法。
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● 今夜の一曲
こんなに恋しくても
届かない心がある
こんなに苦しくても
言えない言葉かおる
ときめいてあこがれて
聞こえない声で叫んでいる
あなたに届けいつかいつの日か
あなたに届けせめてそのかけらでも
こんなに寒い朝も
温かい恋かおる
こんなに悲しくても
□ずさ仁歌がある
ひた仁きにひたすらに
あなたを思う夢かおる
あなたに届けいつか蒼空に
あなたに届け歌よ伝えてよ
あなたに届けいつかいつの日か
あなたに届けせめてそのかけらでも
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