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エネルギーフリー社会を語ろう!No.92

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                 公孫丑(こうそんちゆう)篇 「浩然の気」とは   /   孟子  

                                                

     ※ 天下に敵なし:賢人や有能な人材を重用し、すぐれた人物が国政にあたれば、あら
              ゆる人材はその国に仕官することを願うだろう。商店からは店舗税は徴収するが、
              商品税は免除する。あるいは収り締まりだけにとどめて店舗税も免除する。そうす
              れば商人という商人は、その国で商いすることを願うだろう。関所では、取り調べ
       だけを行なって、通行税はとらない。そうすれば旅人はみな、その国を通ることを
       願うだろう。農民には、賦役として公田を耕させるだけで、私田には課税しない。
       そうすれば他国の農民も、その国で耕すことを願うだろう。住宅については、付加
       税をとらなければ、天下の人民はみな、その国に住むことを願うだろう。この五つ
       の政策を完全に実行すれば、その君主は隣国の人民からも父母のように慕われる。
       隣国が人民をひきいて侵略して来たとしても、息子が父母を攻めるようなものだ。
       歴史はじまって以来、こんな侵略が成功したためしはない。このような君主には天
       下に敵がなくなる。天下無敵の君主は、天の使徒である。天の使徒でありながら、
       王者になれなかった例はかつてなかった。

     〈公田を耕させる〉周の井田法による公田を共同耕作して、収指物を祖税にすること。
     〈付加税〉原文は「夫里之布」。周代には、働かない者や宅地に桑や麻を植えない者に
          対する罰として課した税。しかし戦国時代には悪用され、付加税として一律
          に課した。

     【解説】孟子の持論である王道政治の経済政策であるが、五つのうち四つまでが減税政
         策とは興昧深い。 

 

    No.92

 【高性能回転電動機篇:熾烈な競争に勝つ方法】

 

11月2日、日経新聞社は、日本の革新力低下しているとしてその克服法を掲載(「大企業に眠れる
知 解はすぐそばにある (ニッポンの革新力)」 2017/11/2 日本経済新聞 電子版)。それによる
と、日本企業は1980年代に半導体や家電で世界を制したが、その後は米国などに後れを取る。研究開
発(R&D)が生むリターン(利益)、いわば「ROR(リターン・オン・R&D)」の低迷が止ま
らない。デロイトトーマツコンサルティングは主要国の企業が生んだ5年間の付加価値の平均を、そ
の前の5年間の研究開発費の平均で割ってR&Dの効率を算出。日本が製造業で競合する国では16
年はフランスが49倍、ドイツが42倍、米国が39倍と高く、日本と韓国は32倍で最下位に並ぶ。
つまり、日本企業の研究所は事業化という出口を見据え、技術の種をどう組み合わせるかを考えられ
ていない(福永泰日本電産中央モーター基礎技術研究所長)。変化が緩やかな時代には、知をためこ
む日本型経営が通用したが、変化が激しいデジタルの時代には、自前主義を克服する経営の知恵が革
新力を左右すると指摘する。

2010年まで東芝の技術者だった堺和人東洋大学教授は、会社に残っていれば、電気自動車(EV)
用のモーターの勢力図は変わっていたかもしれないと思いで研究を続ける。 手がけるのは永久磁石
の磁力を自由に変えることで、モーターの効率を大幅に高める技術。洗濯機で実用化し大型のハイテ
ク機器への活用を考えたが、リーマン・ショック後の業績悪化を背景に、応用は足踏みに。堺教授は
研究環境を求めて東芝を去る。EV時代が近づき、堺教授のもとにはLG電子など韓国メーカーから
共同研究の打診もあったが、東芝は将来の成長を担うかもしれないEV用モーターの技術の種を失う。

 ❏ 関連特許事例: 特開2017-063518 回転電機システム

ところで、世界のエネルギー総消費量のおよそ50%がモータによる。そのため、モータおよびドラ
イブシステムの省エネルギー化・高効率化が求められている。従来、モータや発電機のような回転電
機では、3相の交流電流が流れる3相のコイルを固定子に設けて相毎のコイルを接続して3相巻線を
構成。この3相巻線を持つ回転電機ではその3相の巻線それぞれの端子に外部の3相電力変換装置を
接続しエネルギー変換、回転子を回転させて回転力を取出し、あるいは回転子の回転により固定子側
から出力される電力を取り出す。

このような3相の回転電機では、❶トルク脈動や出力脈動を小さくするためにコイルの数や配置を最
適化して起磁力を正弦波に近づける設計を行うが、スロット数を限りなく増やすことはできないので、
高調波の低減量には限界がある。❷また巻線電流による電磁力で発生する振動や騒音を低減するのに
電気的にスロット数や鉄心形状などで最適化しても、ある程度までしか低減できない。❸またハイブ
リッド自動車や鉄道等の可変速モータや風力用可変速発電機では、低速から高速まで低損失が性能上
最も重要となるが、機器設計上で固定された極数では、極数によって良好な出力性能が得られる回転
数範囲があるので、低速域から高速域まで広範囲で高効率にすることは困難である。

そこで、前述のことを踏まえ、下図1のように、複数のコイル各々に流れる電流の大きさと位相とを
変化できる電力変換回路30a~30i、複数のコイル各々で成る巻線を有する固定子10たコイル
または永久磁石または磁気的突極鉄心を有する回転子20から構成される回転電機システムにおいて、
電力変換回路30a~30iは複数のコイル各々に流れる電流の大きさと位相とを個々に変化できる
回転電機システムとすることで、省エネルギーや発電量の増加、トルクや出力脈動の低減、振動や騒
音の低減が図れる回転電機システムを実現する。



【図1】本発明の第1の実施の形態の回転電機システムの説明図
【図2】第1の実施の形態の回転電機システムの回路図



【図3】第1の実施の形態の回転電機システムの動作説明図
【図4】上記第1の実施の形態の回転電機システムにおける9相電圧波形図
【図8】第2の実施の形態の回転電機システムによる4極運転時の回転磁界の分布図
【図9】第2の実施の形態の回転電機システムによる8極運転時の回転磁界の分布図
【図18C】上記第3の実施の形態の回転電機システムのモータの負荷時トルク特性図

 【量子ドット工学講座 No.48】

❏ 最新ペロブスカイト応用技術:関連事例
             
● ペロブスカイト型薄膜太陽電池、エネ変換効率18%達成

先回はワシントン大学の研究グループのAサイトカチオンハライド塩コーティング処理法で化学的に
表面積層した変換効率13.4%のハロゲン化ペロブスカイト量子ドット薄膜の開発したことを掲載し
たが(下表クリック)、今度は、桐蔭横浜大学医用工学部の宮坂力特任教授らは、薄いフィルム型にし
た「ペロブスカイト太陽電池」のエネルギー変換効率で18%を達成した。フィルム型では世界最高
性能だという情報が飛びKんできた(「フィルム型ペロブスカイト太陽電池、エネ変換効率18%達成!
桐蔭横浜大」日刊工業新聞 電子版 2017.11.01
)。

それによると、厚さ約126マイクロメートル(マイクロは100万分の1)で、折り曲げても高い
変換効率と安定性を維持する。安価かつ軽量でフレキシブルな太陽電池が実用化できれば、無線機器
の自立電源、ウェアラブル機器のほか、医療分野にも活用範囲が広がると期待される。ペロブスカイ
ト太陽電池は、ペロブスカイトという結晶構造を持つ太陽電池。製造コストが低いため、次世代太陽
電池として実用化が期待されている。同研究グループは、樹脂フィルム基板に対し電子輸送層、セシ
ウムやメチルアンモニウムなどの混合カチオンからなるペロブスカイト層、正孔輸送材料と金電極を
120度以下の低温で製膜し、製作した。フレームなどを除く太陽電池フィルムの重量は1平方メー
トル当たり約250グラムと軽量。また、1000回の繰り返しの曲げ試験後にも、効率を83%維
持できることを確認した。現在、変換効率20%を超えるペロブスカイト太陽電池はガラス基板を使
用。フィルム型では15~16%程度が最高だった。また、世界最高効率の22・1%の同電池など
は400度以上で製膜している。今回製作したものは低温で製膜できるため、生産コストを抑えられ
るということだ。

毎度掲載していることではあるが、安定性と耐久性がハードとして残るもののタンデム化(多層化)
で高効率化が実用段階の射程に入り、薄膜化による人工光(室内照明)など発電できウェアブル化/
モバイル器機の電源化の実用化も射程入ってきている。ここでは、太陽電池または太陽電池以外の燃
料電池、セラミックコンデンサー、特殊ガラス材としての新規技術事例をピックアップしてみた。

 

❏ 関連特許事例:特開2017-195374 配向膜基板の製造方法、スパッタリング装置
                           及びマルチチャンバー装置



【符号の説明】

1 ロードロック室  2 搬送室  3 搬送ロボット  4 YSZスパッタ室  5 磁性を持つ物質の
スパッタ室5  6 特定の格子定数を持つ物質のスパッタ室6  7 PZTスパッタ室  8 ゾルゲル
スピンコート式PZT製膜装置(誘電体膜成膜装置) 10 グリッド電源(第2の電源) 11 フ
ィラメント 12 フィラメント電源(第3の電源) 13 放電ガス導入機構 14 反応ガス導入
機構 15 集光型反射部材(集光リフレクター) 17,18 ランプ光がSiウエハの下面の外側
に漏れる量 21 第1のチャンバー(プロセスチャンバー) 22 保持機構 23 Siウエハ(
Si基板) 24 ランプヒーター 25 スパッタ電極 26 スパッタリングターゲット 27 ロ
ータリーマグネット 28 スパッタ電源(第1の電源) 29 グリッド電極 29a 貫通孔 31
YSZ膜 31a ZrO2膜 31b Y2O3膜 32 磁性を有する導電膜 33 PZT膜 
34 ペロブスカイト構造物質を含む第1のバッファ層 35 ペロブスカイト構造物質を含む第2のバ
ッファ層 51 ゲートバルブ 52 第1の空間 53 第2の空間 54 バルブ

【概要】

従来のPb(Zr,Ti)O3(以下、「PZT」という。)ペロブスカイト型強誘電体セラミックスの製造方法は、4
インチSiウエハ上に膜厚300nmのSiO2膜を形成し、このSiO2膜上に膜厚5nmのTiOX膜を形成する。次
にこのTiOX膜上に例えば(111)に配向した膜厚150nmのPt(白金)膜を形成し、このPt膜上にスピンコー
ターによってPZTゾルゲル溶液を回転塗布する。この際のスピン条件は、1500rpmの回転速度で30秒間
回転させ、4000rpmの回転速度で10秒間回転させる条件である。次に、この塗布されたPZTゾルゲル溶
液を250℃のホットプレート上で30秒間加熱保持して乾燥させ、水分を除去した後、さらに500℃の高
温に保持したホットプレート上で60秒間加熱保持して仮焼成を行う。これを複数回繰り返すことで膜
厚150nmのPZTアモルファス薄膜を生成する。


次いで、このPZTアモルファス薄膜に加圧式ランプアニール装置(RTA: rapidly thermal anneal)を用い
て700℃のアニール処理を行ってPZT結晶化を行う。このようにして結晶化されたPZT膜はペロブスカイ
ト構造からなる。この従来技術では、(111)に配向したPt膜が必要となり、Ptが高価であるため、製造
コストが高くなるという課題と製造コストを低減することを課題である。本発明の種々の態様につい
て説明すると、

[1](100)の結晶面を有するSi基板と、前記Si基板上にエピタキシャル成長により形成さ
れた(100)の配向膜と、配向膜上にエピタキシャル成長により形成された磁性を有する導電膜と
、を具備することを特徴とする配向膜基板。[1]において、導電膜は金属を含むことを特徴とする
配向膜基板。[1]または[2]において、導電膜は、磁性を有する金属が40質量%以上含まれ
ていることを特徴とする配向膜基板。[4]上記[1]乃至[3]のいずれか一項において、導電膜
は、Ni、Fe、Ni合金、Ni-Cu合金、Fe合金及びFe-Ni合金の群から選択された少な
くとも一つの金属または少なくとも一つの金属にAgを含有する金属からなることを特徴とする配向
膜基板。[5]上記[1]乃至[4]のいずれか一項において、 導電膜は電極であることを特徴と
する配向膜基板。[6]上記[1]乃至[5]のいずれか一項において、配向膜及び導電膜は500
℃の耐熱性を有することを特徴とする配向膜基板。[7]上記[1]乃至[6]のいずれか一項にお
いて、配向膜は、ZrO2膜とY2O3膜を積層した積層膜またはYSZ膜であることを特徴とする
配向膜基板。[8]上記[1]乃至[7]のいずれか一項において、配向膜と前記導電膜との間に形
成されたペロブスカイト構造物質を含む第1のバッファ層を有することを特徴とする配向膜基板。
[9]上記[1]乃至[8]のいずれか一項において、 前記導電膜上に形成され、(100)に配向
した誘電体膜を有することを特徴とする配向膜基板。[10]上記[9]において、 前記誘電体膜は
PZT膜であることを特徴とする配向膜基板。[11]上記[9]または[10]において、導電膜
と前記誘電体膜との間に形成されたペロブスカイト構造物質を含む第2のバッファ層を有することを
特徴とする配向膜基板。[12]上記[8]または[11]において、ペロブスカイト構造物質は、一般式
ABO3で表され、Aは、Al、Y、Na、K、Rb、Cs、La、Sr、Cr、Ag、Ca、Pr、
Nd、Biおよび周期表のランタン系列の元素からなる群から選択される少なくとも一つの元素を含
んでなり、Bは、Al、Ga、In、Nb、Sn、Ti、Ru、Rh、Pd、Re、Os、IrPt、
U、Co、Fe、Ni、Mn、Cr、Cu、Mg、V、Nb、Ta、MoおよびWからなる群から選
択される少なくとも一つの元素を含んでなるペロブスカイト物質、または、酸化ビスマス層と、ペロ
ブスカイト型構造ブロックとが交互に積層された構造を有するビスマス層状構造強誘電体結晶であり、
ペロブスカイト型構造ブロックは、Li、Na、K、Ca、Sr、Ba、Y、Bi、Pbおよび希土
類元素から選ばれる少なくとも1つの元素Lと、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Mo、Mn、
Fe、SiおよびGeから選ばれる少なくとも1つの元素Rと、酸素とによって構成されることを特
徴とする配向膜基板[13](100)の結晶面を有するSi基板を用意し、Si基板上にエピタキ
シャル成長によりZrO2膜とY2O3膜を積層した積層膜またはYSZ膜を形成し、積層膜または
YSZ膜上にエピタキシャル成長により磁性を有する導電膜を形成する配向膜基板の製造方法であり、
積層膜は(100)に配向しており、YSZ膜は(100)に配向しており、導電膜は、Ni、Fe、
Ni合金、Ni-Cu合金、Fe合金及びFe-Ni合金の群から選択された少なくとも一つの金属
または前記少なくとも一つの金属にAgを含有する金属からなることを特徴とする配向膜基板の製造
方法。[14]上記[13]において、 前記導電膜は、磁性を有する金属が40質量%以上含まれ
ていることを特徴とする配向膜基板の製造方法。[15]上記[13]または[14]において、積
層膜またはYSZ膜を形成した後で且つ前記導電膜を形成する前に、積層膜またはYSZ膜上にペロ
ブスカイト構造物質を含む第1のバッファ層を形成することを特徴とする配向膜基板の製造方法。

[16]上記[13]乃至[15]のいずれか一項において、導電膜を形成した後に、前記導電膜上
に(100)に配向した誘電体膜を形成することを特徴とする配向膜基板の製造方法。[17]上記
[16]において、誘電体膜はPZT膜であることを特徴とする配向膜基板の製造方法。[18]上
記[16]または[17]において、前記導電膜を形成した後で且つ前記誘電体膜を形成する前に、
前記導電膜上にペロブスカイト構造物質を含む第2のバッファ層を形成することを特徴とする配向膜
基板の製造方法。[19]上記[15]または[18]において、ペロブスカイト構造物質は、一般
式ABO3で表され、Aは、Al、Y、Na、K、Rb、Cs、La、Sr、Cr、Ag、Ca、Pr、
Nd、Biおよび周期表のランタン系列の元素からなる群から選択される少なくとも一つの元素を含
んでなり、Bは、Al、Ga、In、Nb、Sn、Ti、Ru、Rh、Pd、Re、Os、IrPt、
U、Co、Fe、Ni、Mn、Cr、Cu、Mg、V、Nb、Ta、MoおよびWからなる群から選
択される少なくとも一つの元素を含んでなるペロブスカイト物質、または、酸化ビスマス層と、ペロ
ブスカイト型構造ブロックとが交互に積層された構造を有するビスマス層状構造強誘電体結晶であり、
ペロブスカイト型構造ブロックは、Li、Na、K、Ca、Sr、Ba、Y、Bi、Pbおよび希土
類元素から選ばれる少なくとも1つの元素Lと、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Mo、Mn、
Fe、SiおよびGeから選ばれる少なくとも1つの元素Rと、酸素とによって構成されることを特徴
とする配向膜基板の製造方法。

[20]第1のチャンバーと、第1のチャンバー内に配置された、基板を保持する保持機構と、保持
機構に設けられ、前記基板の下面にランプ光を照射して前記基板を800℃以上に加熱するランプヒ
ーターと、第1のチャンバー内に配置され、前記保持機構に保持された前記基板の上面と対向するス
パッタリングターゲットと、スパッタリングターゲットに電気的に接続されたスパッタ電極と、スパ
ッタ電極に電気的に接続された第1の電源と、保持機構に保持された前記基板と前記スパッタリング
ターゲットとの間に配置されたグリッド電極と、 グリッド電極に設けられた複数の貫通孔と、グリッ
ド電極に電気的に接続された第2の電源と、保持機構に保持された前記基板と前記グリッド電極との
間の第1の空間から真空排気する排気機構と、を具備し、グリッド電極によって前記第1のチャンバ
ーは、第1の空間と、前記グリッド電極とパッタリングターゲットとの間の第2の空間に二分割され
ていることを特徴とするスパッタリング装置。

[21]上記[20]において、保持機構に設けられ、前記ランプヒーターから照射されるランプ光
が前記基板の下面の外側に漏れるのを遮る遮光部材を有することを特徴とするスパッタリング装置。
[22]上記[21]において、遮光部材は、前記ランプ光を前記基板の下面に集光させる集光リフ
レクターであることを特徴とするスパッタリング装置。[23]上記[22]において、集光リフレ
クターはAl製であり、前記集光リフレクターにはAuメッキが施されていることを特徴とするスパ
ッタリング装置。[24]上記[20]乃至[23]のいずれか一項において、スパッタリングター
ゲットの近傍にはマグネットが配置されていることを特徴とするスパッタリング装置。[25]上記
[20]乃至[24]のいずれか一項において、第2の空間に不活性ガスを導入し、前記第1の空間
に酸素ガスを導入するガス導入機構を有することを特徴とするスパッタリング装置。[26]上記
[25]において、スパッタリングターゲットは、YとZrを含有するものであり、基板は、(10
0)の結晶面を有するSi基板であることを特徴とするスパッタリング装置。27]上記[25]に
おいて、スパッタリングターゲットは、Zrからなり、基板は、(100)の結晶面を有するSi基
板であることを特徴とするスパッタリング装置。

[28]上記[25]において、スパッタリングターゲットは、Yからなり、基板は、(100)の
結晶面を有するSi基板上にZrO2膜が形成されたものであることを特徴とするスパッタリング装
置。[29]上記[20]乃至[28]のいずれか一項において、保持機構に保持された前記基板と
前記グリッド電極との間に配置されたフィラメントと、フィラメントに電気的に接続された第3の電
源とを有することを特徴とするスパッタリング装置。[30]上記[29]において、第1の電源は、
高周波電源または直流電源であり、第2の電源は、直流電源または前記第1の電源の周波数より低い
周波数の高周波電源であり、 前記第3の電源は、直流電源または交流電源であることを特徴とするス
パッタリング装置。[31]上記[20]乃至[30]のいずれか一項において、グリッド電極は、
カーボンで形成されていることを特徴とするスパッタリング装置。[32]上記[26]に記載のス
パッタリング装置と、第1のチャンバーに第1のゲートバルブを介して接続された搬送室と、搬送室
内に配置された、前記基板を搬送する搬送機構と、 搬送室に第2のゲートバルブを介して接続され
た第2のチャンバーと、第2のチャンバー内で磁性を有する導電膜を成膜するスパッタリング装置と
、を具備することを特徴とするマルチチャンバー装置。

[33]上記[27]に記載のスパッタリング装置と、請求項28に記載のスパッタリング装置と、
前記第1のチャンバーに第1のゲートバルブを介して接続された搬送室と、搬送室内に配置された、
前記基板を搬送する搬送機構と、搬送室に第2のゲートバルブを介して接続された第2のチャンバー
と、第2のチャンバー内で磁性を有する導電膜を成膜するスパッタリング装置と、を具備することを
特徴とするマルチチャンバー装置。[34]上記[32]または[33]において、搬送室に第3の
ゲートバルブを介して接続された第3のチャンバーと第3のチャンバー内で誘電体膜を成膜するスパ
ッタリング装置と、具備することを特徴とするマルチチャンバー装置。[35]上記[32]または
[33]において、搬送室に第4のゲートバルブを介して接続された第4のチャンバーと、第4のチ
ャンバーを有する誘電体膜製膜装置と、を具備し、誘電体膜製膜装置は、ゾルゲル溶液をスピンコー
トにより塗布して誘電体膜を製膜する装置であることを特徴とするマルチチャンバー装置であり、結
晶面を有するSi基板23と、Si基板上にエピタキシャル成長により形成された配向膜31と、配
向膜上にエピタキシャル成長により形成された磁性を有する導電膜32と、を具備する配向膜基板で
ある。導電膜は金属を含む。導電膜は、磁性を有する金属が40質量%以上含まれている。導電膜は、
Ni、Fe、Ni合金、Ni-Cu合金、Fe合金及びFe-Ni合金の群から選択された少なくと
も一つの金属または少なくとも一つの金属にAgを含有する金属からなる(【選択図】図4)ことで、
本件の一態様を適用することで、製造コストを低減することができる。

※ 詳細は上図クリック 

❏ 関連特許事例:特開2011-014543 光電変換素子の製造方法および光電変換素子、
                                    光電池 【概要】

多孔質半導体微粒子層と電荷輸送層および対極を含む積層構造からなり、該多孔質半導体微粒子層が、
半導体微粒子と分散溶媒を除く添加剤の含量が分散液の1質量%以下の粒子分散液を塗布し加熱する
工程によって製造されることを特徴とする光電変換素子の製造方法により、エネルギー変換効率とコ
ストパーフォーマンスに優れた色素増感型の光電変換素子ならびに光電気化学電池が得られる。

【符号の説明】

1 導電性ガラス  2 導電剤層  3 TiO2電極  4 色素層  5 電解液  6 白金層  7 ガ
ラス  10 導電層  10a 透明導電層  11 金属リード 20 感光層  21 半導体微粒子  22 色素 
23 電荷輸送材料  30 電荷移動層  40 対極導電層  40a 透明対極導電層  50 基板  50a 透明
基板  60 下塗り層


❏ 関連特許事例:特開2017-199859 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 【概要】 

積層セラミックコンデンサ10は、誘電体層12と内部電極13とが交互に複数積層された積層体11
を備える。誘電体層12は、Ba、Sr、Ti、Ca、Zr、Mg、およびR(ただし、Rは、Y、
La、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、およびYbのうちの少なくとも1種の元
素)を含み、Tiを100モル部とすると、Srは0.5モル部以上3.0モル部以下、Caは3モ
ル部以上15モル部以下、Zrは0.05モル部以上3.0モル部以下、Mgは0.01モル部以上
0.09モル部以下、Rは2.5モル部以上8.4モル部以下である。積層体11の長さ方向の寸法
は1.0mmより大きく3.2mm以下、幅方向の寸法は0.5mmより大きく2.5mm以下、厚
み方向の寸法は0.5mmより大きく2.5mm以下で、誘電体層12の厚み方向の寸法は0.4μ
m以上3.0μm以下であることで、 積層セラミックコンデンサは、上述の構成を備えることにより、
高温負荷試験における寿命ばらつきの小さい積層セラミックコンデンサを得ることができ、 また、こ
の製造方法は、上述の構成を備えることにより、高温負荷試験における寿命ばらつきの小さい積層セ
ラミックコンデンサを製造することができる。【選択図】図2

尚、 誘電体層12は、Ba、Sr、Ti、Ca、Zr、Mg、およびRを含むペロブスカイト型化合
物である。Caは、誘電体層12を構成する結晶粒子の中心付近に存在している。また、Rは、希土
類元素であるY、La、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、およびYbのうちの少
なくとも1種類であってもよいし、複数種類が含まれるものであってもよい。
さらに、誘電体層12は、BaおよびTiを含むペロブスカイト型化合物と、他の副成分を含むセラ
ミック層である。BaおよびTiを含むペロブスカイト型化合物としては、チタン酸バリウム系セラ
ミックであり、一般式AmBO3で表されるペロブスカイト型化合物などが挙げられる。AサイトはBa
であって、Ba以外にSrおよびCaからなる群より選ばれる少なくとも1種を含んでいてもよい。
BサイトはTiであって、Ti以外にZrを含んでいてもよい。Oは酸素である。また、mは、Aサ
イトとBサイトとのモル比である。また、積層体11のXRD構造解析を行ったところ、誘電体層12
の主成分がチタン酸バリウム系のペロブスカイト型構造を有することが明らかとなった。副成分とし
ては、RやMgが含まれる。誘電体層12内における副成分の存在形はどのようなものであってもよ
い。例えば、副成分は、ペロブスカイト型化合物の結晶粒子内に存在していてもよい。具体的には、
BaおよびTiを含むペロブスカイト型化合物からなるコア部と、コア部の周囲に副成分としての
元素が固溶して形成されるシェル部とからなる粒子がより好ましい。また、副成分は、酸化物などの
形態で結晶粒界や三重点に存在していてもよい。 


【符号の説明】

10 積層セラミックコンデンサ 11 積層体 12 誘電体層 13 内部電極 14 外部電極 
15a 第1の端面 15b 第2の端面 16a 第1の主面 16b 第2の主面  17a 第1
の側面  17b 第2の側面

 

 

秋晴れさわやかな恒例のひこねの城まつりのメインイベント「ひこねの城まつりパレード」。子ども
大名行列、子ども時代風俗行列や、彦根らしさを組み入れた彦根町火消し列、一文字笠列、井伊の赤
鬼家臣団列など総勢千名による華やかな時代絵巻を約2時間にわたり繰り広げた。わたしたちは午前
中に墓参りを済ませ、場内を一週旧西郷屋敷長屋門でパレード用の騎馬が七頭毛並みをそろえ繫がれ
ていたのでデジカメを撮り帰宅、途中湖岸に台風21号の影響で大量の流木が打ち寄せられていたの
で車を降り近くを散策しここでも被害のデジカメ撮影する。仮に1メートル幅あたり1万円として、
およそ全長2百キロメートルとして、20億円処理費用が毎年1回の頻度で10年間繰り返すと2百
億円の費用が発生すれば、経済的にも、精神衛生的にも悪化していくのではと心配することとなった。

 


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